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本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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