用于制造半导体器件的方法和设备技术

将待处理衬底与支承衬底接合，该支承衬底的外形大于待处理衬底的外形，且在待处理衬底与支承衬底之间设置有光热转换层和粘合层，且即使对待处理衬底的与接合表面相反的表面进行处理，也能防止待处理衬底的被处理表面上产生外观损坏。在待处理衬底（３）的一个表面上形成粘合层（４），在支承衬底（１）的一个表面上形成光热转换层（２），该支承衬底（１）的表面的外形大于待处理衬底的该表面的外形，且通过将该衬底（３）接合到光热转换层（２）的该表面上且粘合层（４）设置在该衬底（３）与光热转换层（２）之间获得层叠主体。将层叠主体放置在旋涂机设备的室（８）中的旋转夹盘（９）上，并向光热转换层（２）的从待处理衬底暴露的部分（２ａ）上滴落碱性水溶液（１１），然后通过高压清洁喷嘴（１２）清洁该暴露部分。接着，对衬底（３）的该表面进行抛光、湿法处理等，并制造半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过将硅晶片或其他被处理衬底附加到支承衬底上并执行对被处理 衬底的处理的用于制造半导体器件的方法，以及用于出于该制造目的去除层的一部分的设备。
技术介绍
近年来，已经执行了将半导体晶片或其他被处理衬底附加到硬支承衬底、然后对 被处理衬底的与附加表面相反的面进行处理的处理。例如，专利参考文献1公开了一种技 术，其中将被处理衬底附加到作为支承衬底的玻璃，且光热转换层和粘合剂置于该被处理 衬底与玻璃之间，对被处理衬底执行研磨处理以使其成为极薄形状，且在研磨之后，从支承 衬底无损地分离被处理衬底。参照图16至图22说明该技术。如图16所示，利用旋涂机将包含炭黑或另一光吸 收剂以及热可分解树脂的混合溶液涂敷到包括圆形玻璃的支承衬底1上，并干燥以形成光 热转换层2。此外，利用旋涂机向包括硅晶片的被处理衬底3的后表面上涂敷UV硬化粘合 剂，以形成粘合层4。接着，如图17所示，将支承衬底1的光热层2与被处理衬底3的粘合 层4相对放置并使它们接合到一起，然后使用紫外光5从支承衬底1侧辐照，从而使粘合层 4硬化而接合支承衬底1和被处理衬底3。而且，如图18所示，对固定于支承衬底1上的被处理衬底3进行研磨以减小厚度。 在研磨结束之后，使用YAG激光6从支承衬底1侧辐照，如图19所示。通过该方法使光热 转换层2b分解，从而可使厚度已减小的被处理衬底3a在不被破坏的情况下与支承衬底1 分离(图20)。最终，如图21所示，将用于分离的胶带7附加至保留在被处理衬底3a的后 表面上的粘合层4，且通过剥离胶带7，可从被处理衬底3a去除粘合层4 (图22)。在该技术中，支承衬底1的外形必须大于被处理衬底3的外形。其原因在于，如果 支承衬底1的外形等于或小于被处理衬底3的外形，则在不插入光热转换层2的情况下，粘 合剂突出，粘合层4与支承衬底1接触并粘附至支承衬底1，从而会存在再也无法从被处理 衬底3分离支承衬底1的情况。专利文献1 日本专利申请特许公开No. 2004-64040然而，在该技术中，当将具有较大外形的支承衬底1与被处理衬底3接合到一起并 研磨被处理衬底3时，从被处理衬底3突出的光热转换层2也被研磨和去除，如图18所示， 且因此光热转换层2中所包含的炭黑或其他不可溶解外来物质2d可重新附着至被处理衬 底1的处理表面，从而成为缺陷外观的起因(图19至图22)。此外，此类缺陷外观不限于上 述研磨处理，且当对被处理衬底的与接合面相反的一侧上的表面执行处理，同时处理从被 处理衬底突出的光热转换层，从而引起该光热转换层中包含的外来物质向被处理衬底的重 新附着时也会出现。
技术实现思路
因此，鉴于上述问题，本专利技术的一个目的是提供一种半导体器件制造方法以及提 供用于该方法的设备，通过该方法，即使在被处理衬底与外形比该被处理衬底外形大的支 承衬底接合到一起，且在被处理衬底与支承衬底之间插入了光热转换层和粘合层，并且对 被处理衬底的与接合表面相反的一侧的表面进行处理时，也能防止被处理衬底的处理表面 上出现缺陷外观。为实现上述目的，本专利技术的用于制造半导体器件的方法的一个实施方式的特征在 于，具有在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的过程；在支承衬底的一个表面上形成光 热转换层的过程，该支承衬底的表面的外形大于被处理衬底的该表面的外形；将被处理衬底 接合到光热转换层的该表面上以获得多层构件的过程，其中粘合层置于被处理衬底与光热转 换层的该表面之间；从多层构件去除光热转换层中的从被处理衬底突出的部分，并清洁该部 分的过程；对进行了去除和清洁步骤之后的多层构件，在被处理衬底的位于与支承衬底接合 的面相反一侧的面上执行处理的过程；以及使处理之后的被处理衬底从粘合层分离的过程。此外，本专利技术的用于制造半导体器件的方法的另一个实施方式的特征在于，具有 在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的过程；在支承衬底的一个表面上形成光热转换层 的过程，该支承衬底的表面的外形大于被处理衬底的该表面的外形；将被处理衬底接合到 光热转换层的表面上以获得多层构件的过程，其中粘合层置于被处理衬底与光热转换层的 该表面之间；对该多层构件，在被处理衬底的位于与支承衬底接合的面相反一侧的面上执 行处理的过程；从该多层构件去除光热转换层中的从被处理衬底突出的部分，并在对与接 合表面相反的一侧上的表面执行处理的步骤期间清洁该部分的过程；以及从粘合层分离其 中对与接合表面相反一侧上的表面的处理已完成的被处理衬底的过程。在部分去除光热转换层并执行清洁的过程中，优选将碱性水溶液滴落到从被处理 衬底突出的该部分上，然后使用清洁液流执行清洁。优选该清洁液流处在高压下，且优选将 水用作该清洁液流。此外，在部分去除光热转换层并执行清洁的过程中，优选将碱性水溶液 滴落到从被处理衬底突出的该部分上，然后使用刷子执行清洁。优选该碱性水溶液为氢氧 化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、氨水、氢氧化四甲基铵(TMAH)水溶液、氨水-过氧化氢溶液 或这些溶液的液体混合物。在使被处理衬底从粘合层分离的过程中，优选通过用辐射能辐 照来使光热转换层分解，从而使被处理衬底从支承衬底分离。此外，本专利技术的另一方面是一种用于被处理衬底和支承衬底的设备，该被处理衬 底具有形成有粘合层的一个表面，且该支承衬底具有形成有光热转换层的一个表面，该被 处理衬底和支承衬底被接合在一起，且粘合层和光热转换层置于被处理衬底与支承衬底之 间，该支承衬底的表面的外形大于被处理衬底的表面的外形，该设备利用碱性水溶液来去 除光热转换层的从被处理衬底突出的部分并清洁该部分，且该设备的特征在于，具有用于 将碱性水溶液滴到光热转换层的从被处理衬底突出的部分上的装置；以及用于清洁由碱性 水溶液从支承衬底溶解的光热转换层的装置。优选用于清洁所溶解的光热转换层的装置是用于喷射高压水流的装置。此外，优 选用于清洁所溶解的光热转换层的装置是刷子。以此方式，去除了支承衬底上光热转换层的从被处理衬底突出的那部分，并进行 清洁，然后对被处理衬底的与接合表面相反一侧的表面(处理面)执行处理，从而可防止光热转换层在处理面的处理期间的溶解。因此，可防止光热转换层中包含的外来物质重新附 着到被处理衬底而引起的缺陷外观。附图简述图1是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图2是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图3是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图4是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图5是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图6是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图7是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图8是示意性地示出多层结构的横截面图，用以说明本专利技术的用于制造半导体器 件的方法的一个实施例；图9是示意性地示出本专利技术的去除装置的一个实施例的横截面图10是示意性地示出本专利技术的去除装置的一个实施例的横截面图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：　　在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的步骤；　　在支承衬底的一个表面上形成光热转换层的步骤，所述支承衬底的表面的外形大于所述被处理衬底的所述表面的外形；　　将所述被处理衬底接合到所述光热转换层的所述表面上以获得多层构件的步骤，其中所述粘合层置于所述被处理衬底与所述光热转换层的表面之间；　　从所述多层构件去除所述光热转换层中的从所述被处理衬底突出的部分，并清洁所述部分的步骤；　　对进行了所述去除和清洁步骤之后的多层构件，在所述被处理衬底的位于与所述支承衬底接合的面的相反侧的面上执行处理的步骤；以及　　使处理之后的所述被处理衬底从所述粘合层分离的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-5-22 2008-1339771.一种用于制造半导体器件的方法，包括 在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的步骤；在支承衬底的一个表面上形成光热转换层的步骤，所述支承衬底的表面的外形大于所 述被处理衬底的所述表面的外形；将所述被处理衬底接合到所述光热转换层的所述表面上以获得多层构件的步骤，其中 所述粘合层置于所述被处理衬底与所述光热转换层的表面之间；从所述多层构件去除所述光热转换层中的从所述被处理衬底突出的部分，并清洁所述 部分的步骤；对进行了所述去除和清洁步骤之后的多层构件，在所述被处理衬底的位于与所述支承 衬底接合的面的相反侧的面上执行处理的步骤；以及使处理之后的所述被处理衬底从所述粘合层分离的步骤。2.一种用于制造半导体器件的方法，包括 在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的步骤；在支承衬底的一个表面上形成光热转换层的步骤，所述支承衬底的表面的外形大于所 述被处理衬底的所述表面的外形；将所述被处理衬底接合到所述光热转换层的所述表面上以获得多层构件的步骤，其中 所述粘合层置于所述被处理衬底与所述光热转换层的表面之间；对所述多层构件，在所述被处理衬底的位于与所述支承衬底接合的面的相反侧的面上 执行处理的步骤；从所述多层构件去除所述光热转换层中的从所述被处理衬底突出的部分，并在对与接 合表面相反的一侧上的表面执行处理的步骤期间清洁所述部分的步骤；以及从粘合层分离与接合表面相反一侧上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦野裕一，风间健一，
申请(专利权)人：富士电机系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]