化学气相沉积机台及其遮蔽框架制造技术

一种化学气相沉积机台及其遮蔽框架，该遮蔽框架可与一承载台结合，以遮蔽位于承载台上基板的周围区域。此遮蔽框架包括了下列组件。一阶梯结构，具有第一阶梯平面与第一阶梯侧壁，在第一阶梯侧壁上具有一凹槽。一定位板块，可嵌入凹槽而与阶梯结构结合，定位板块具有一板面与一侧面，在板面上设置有一定位孔，提供遮蔽框架与承载台结合定位之用，在侧面上设置有至少一螺孔，贯穿定位板块。一螺丝，经由螺孔将定位板块锁固于阶梯结构上。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有遮蔽框架的化学气相沉积机台，特别涉及一种具有定位 板块的遮蔽框架。
技术介绍
请参照图1A，此图显示了现有技术中使用化学气相沉积法(CVD)于一基板10表面 沉积膜层的情形。其中，为了避免化学气相沉积制程当中所进行的电浆处理，在基板的边缘 IOa造成电弧现象，因此会在基板的四周设置遮蔽框架(Shadow Frame) 12。请参照图1B，此图显示了对基板10进行化学气相沉积时，相关设备的截面图。一 般而言，基板10是放置于一承载台(stage) 14上，再由承载台14将基板10移动至反应室 内进行膜层沉积。由遮蔽框架12的截面来看，其为一阶梯状结构，具有第一阶梯表面12a 与第二阶梯表面12b，其中，第一阶梯表面12a正好位于基板10边缘的上方且面对基板10 的上表面，用以遮蔽基板的边缘部份10a，至于第二阶梯表面12b则邻近于承载台14四周的 上表面。为了使承载台14与遮蔽框架12结合时能准确的定位，请同时参见图IA与图1B， 在遮蔽框架的四个边框的下表面，也就是在在第二楷梯表面12b上，会分别设置定位孔 120。并且，在承载台14四周的上表面也会分别制作对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遮蔽框架，可与一承载台结合，以遮蔽位于承载台上一基板的周围区域，其特征在于，包括：一阶梯结构，具有一第一阶梯平面与一第一阶梯侧壁，在该第一阶梯侧壁上具有一凹槽；一定位板块，可嵌入该凹槽而与该阶梯结构结合，该定位板块具有一板面与一侧面，在该板面上设置有一定位孔，提供该遮蔽框架与该承载台结合定位之用，在该侧面上设置有至少一螺孔，贯穿该定位板块；及一螺丝，经由该螺孔将该定位板块锁固于该阶梯结构上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鸣均，萧文应，郑琮锜，李亭辉，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]