一种整体式绝缘接头制造技术

技术编号:4915652 阅读:182 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种整体式绝缘接头,涉及一种高压条件下的绝缘接头。在左、右法兰的平面凹槽中设有主密封圈,在左法兰的端平面上装有主绝缘环,主绝缘环端头装副密封环,在右法兰与压紧环之间装有副绝缘环,主绝缘环与副绝缘环间有绝缘隔离层,副绝缘环中间有环绝缘隔离层。本实用新型专利技术在位于左、右法兰的平面凹槽设有主密封圈,在绝缘环外侧设有一个副密封环,通过特制副密封环的二次增强组合密封结构,增强了密封性能,特别是提高了承受压力,克服了高压条件下的各种渗漏途径,使之能在高压环境条件下使用。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高压条件下的绝缘接头。
技术介绍
输送管道中,管线与管线之间的隔离绝缘通常采用绝缘法兰和整体式绝缘接头,但绝缘法兰受法兰结构特点及使用环境的影响,密封性能差,不适用于压力较高环境下、以 及大弯矩和有集中截荷作用管道部位工作,特别是不能埋地安装,使用寿命短,一般在四 五年内需更换绝缘密封件。整体式接头用环氧板绝缘容易发生泄漏承受压力低。
技术实现思路
本技术的目的旨在提供一种能改善绝缘和密封性能,提高工作压力,适应高 压环境条件下工作的一种整体式绝缘接头。本技术目的的实现方式为,一种整体式绝缘接头,在左、右法兰的平面凹槽中 设有主密封圈,在左法兰的端平面上装有主绝缘环,主绝缘环端头装副密封环,在右法兰与 压紧环之间装有副绝缘环,主绝缘环与副绝缘环间有绝缘隔离层,副绝缘环中间有环绝缘 隔罔层。本技术在位于左、右法兰的平面凹槽设有主密封圈,在绝缘环外侧设有一个 副密封环,通过特制副密封环的二次增强组合密封结构,增强了密封性能,特别是提高了承 受压力,克服了高压条件下的各种渗漏途径,使之能在高压环境条件下使用。附图说明附图是本技术结构示意图具体实施方式参照附图,在左、右法兰的平面凹槽中设有一个主密封圈3用来径向密封,在左法 兰2的端平面上装有主绝缘环4,主绝缘环4端头装副密封环5,在右法兰6与压紧环9之 间装有副绝缘环8,主绝缘环4与副绝缘环8间有绝缘隔离层7,副绝缘环8中间有环绝缘 隔离层10。主绝缘环4、副绝缘环8的材料为环氧酚醛层压玻璃布绝缘环。绝缘隔离层7、环 绝缘隔离层10为高绝缘性绝缘材料。本技术两端有左、右连接短管1、11。本技术在位于左、右法兰的平面凹槽设有主密封圈,在绝缘环外侧设有一个 副密封环,通过特制副密封环的二次增强组合密封结构,增强了密封性能,特别是提高了承 受压力,克服了高压条件下的各种渗漏途径,使之能在高压环境条件下使用。权利要求一种整体式绝缘接头,其特征在于在左、右法兰的平面凹槽中设有主密封圈,在左法兰的端平面上装有主绝缘环,主绝缘环端头装副密封环,在右法兰与压紧环之间装有副绝缘环,主绝缘环与副绝缘环间有绝缘隔离层,副绝缘环中间有环绝缘隔离层。专利摘要一种整体式绝缘接头,涉及一种高压条件下的绝缘接头。在左、右法兰的平面凹槽中设有主密封圈,在左法兰的端平面上装有主绝缘环,主绝缘环端头装副密封环,在右法兰与压紧环之间装有副绝缘环,主绝缘环与副绝缘环间有绝缘隔离层,副绝缘环中间有环绝缘隔离层。本技术在位于左、右法兰的平面凹槽设有主密封圈,在绝缘环外侧设有一个副密封环,通过特制副密封环的二次增强组合密封结构,增强了密封性能,特别是提高了承受压力,克服了高压条件下的各种渗漏途径,使之能在高压环境条件下使用。文档编号F16L23/18GK201575247SQ20092008508公开日2010年9月8日 申请日期2009年4月21日 优先权日2009年4月21日专利技术者吴国祥, 周文, 金本胜 申请人:湖北兴成石化设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整体式绝缘接头,其特征在于在左、右法兰的平面凹槽中设有主密封圈,在左法兰的端平面上装有主绝缘环,主绝缘环端头装副密封环,在右法兰与压紧环之间装有副绝缘环,主绝缘环与副绝缘环间有绝缘隔离层,副绝缘环中间有环绝缘隔离层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周文金本胜吴国祥
申请(专利权)人:湖北兴成石化设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:42[中国|湖北]

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