一种用于支撑基板的装置，包括对所述基板进行支撑的上板；设在所述上板之下的下板；位于所述上板与所述下板之间的绝缘部件；电极，其位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离子体指向由所述上板支撑之基板上；及加热器，其位于所述绝缘部件与所述下板以加热由所述上板支撑之基板。所述绝缘部件包括体积电阻在约４００℃～约８００℃的温度下大于等于约１０６Ω－ｃｍ的材料，以减小所述加热器与所述电极之间的泄漏电流。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及制造半导体器件的装置。尤其是，本专利技术的实施例涉及对基 板进行支撑以在基板上执行等离子体处理的装置、以及具有该装置的基板处理装置。
技术介绍
一般通过在硅晶片之类的半导体基板上形成电路图形的制造工艺、对其上形成有 电路图形之基板的电特性进行检测的电裸芯筛选(EDS)工艺、以及使得形成在基板上的半 导体芯片为单独芯片并且使用环氧树脂封装半导体芯片的封装工艺。可通过淀积工艺形成薄层以在半导体上形成电路图形。现今，一般采用使用等离 子体的淀积装置来改进层的电特性并且以相对低的温度进行淀积处理。例如，一般使用等 离子体增强化学气相淀积(PECVD)装置以形成层。PECVD装置可包括其中供给有反应气体的处理室、设在处理室中从反应气体生成 等离子体以在基板上形成层的等离子体电极、以及用于支撑基板的支撑部。支撑部可包括用于将等离子体导向基板上以改进层的淀积效率的电极，以及用于 加热基板的加热器。可使得电极接地，并且可将加热器连接至电源。由于将高电压施加至加热器，加热器与电极之间会产生泄漏电流。因此，淀积处理 可能不正常，并且淀积装置的组件可能会电损坏。
技术实现思路
技术问题本专利技术的实施例提供了一种用于支撑基板的装置，其能够减小加热器与电极之间 的泄漏电流。此外，本专利技术的实施例提供了一种用于处理基板的装置，其包括能够减小加热器 与电极之间的泄漏电流的基板支撑部。技术方案根据本专利技术的一个方面，一种用于支撑基板的装置，包括上板、下板、绝缘部件、电 极、及加热器。所述上板对所述基板进行支撑，并且所述下板设在所述上板之下。所述绝缘 部件位于所述上板与所述下板之间。所述电极位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离 子体指向由所述上板支撑之基板上。所述加热器位于所述绝缘部件与所述下板以加热由所 述上板支撑之基板。所述绝缘部件包括体积电阻在约400°C 约800°C的温度下大于等于 约IO6Q-Cm的材料，以减小所述加热器与所述电极之间的泄漏电流。根据本专利技术的一些实施例，所述绝缘部件为在约1，600°C 约1，900°C的温度下 以及约0. 01ton/cm2 约0. 3ton/cm2的压力下在惰性气体环境中形成的烧结氮化铝。根据本专利技术的一些实施例，所述绝缘部件包括多于约95%质量的氮化铝。根据本专利技术的一些实施例，所述绝缘部件的厚度为约3mm 约10mm，以减小所述 加热器与所述电极之间的泄漏电流。3根据本专利技术的一些实施例，所述上板和下板都包括烧结陶瓷。根据本专利技术的一些实施例，所述加热器包括电阻加热丝。根据本专利技术的一些实施例，所述电极的形状为网状或板状。根据本专利技术的另一方面，一种用于处理基板的装置，包括处理室、基板支撑部、及 供气部。所述基板支撑部设在所述处理室中以支撑且加热所述基板。所述供气部将反应气 体供给入所述处理室以在所述基板上形成层，并且用作上电极以从所述反应气体形成等离 子体。所述基板支撑部包括上板、下板、绝缘部件、接地电极、及加热器。所述上板对所述基 板进行支撑，并且所述下板设在所述上板之下。所述绝缘部件位于所述上板与所述下板之 间。所述接地电极位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离子体指向由所述上板支撑之 基板上。所述加热器位于所述绝缘部件与所述下板以加热由所述上板支撑之基板。具体地， 所述绝缘部件包括体积电阻在约400°C 约800°C的温度下大于等于约106Q-cm的材料， 以减小所述加热器与所述接地电极之间的泄漏电流。根据本专利技术的一些实施例，所述基板支撑部的加热器包括电阻加热丝。根据本专利技术的一些实施例，所述绝缘部件的厚度为约3mm 约10mm，以减小所述 加热器与所述电极之间的泄漏电流。如前所述，根据本专利技术的实施例，可通过包括体积电阻在约400°C 约800°C的温度 下大于等于约IO6 Ω -cm之材料的所述绝缘部件来减小所述加热器与电极之间的泄漏电流。此外，所述绝缘部件的厚度为约3mm 10mm，并且所述绝缘部件由此具有可充分 减小所述加热器与电极之间泄漏电流的电阻。再者，所述加热器可包括电阻加热丝，并且由此可减小所述电极的与所述加热器 相对的部分的面积，藉此减小所述加热器与电极之间的泄漏电流。有益效果根据本专利技术的实施例，当使用等离子体在基板上形成薄层时，用于将基板加热至 处理温度的加热器与用于形成等离子体的接地电极之间的泄漏电路可通过设置在所述加 热器与接地电极之间的绝缘部件而充分减小。由此，可防止用于形成薄层的装置被加热器 与电极之间的泄漏电流损坏。此外，由于用于形成薄层的等离子体可稳定地生成，因此可在 基板上均勻地形成薄层，并且可改进薄层的电特性。附图说明当结合参看附图时，本专利技术的实施例及其详细说明将变得易于明白，其中图1为示出根据本专利技术实施例的用于支撑基板之装置的示意图；图2为示出图1所示加热器的示意图；图3为示出图1所示电极的示意图；图4为示出图1所示的加热器和电极之间距离的示意图；图5为示出图1所示加热器的例子是示意图；图6为示出根据本专利技术另一实施例的用于处理基板之装置的示意图。具体实施例方式参见示出实施例的附图，下文将更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以许4多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为 了达成充分及完整公开，并且使本
的技术人员完全了解本专利技术的范围。这些附图 中，为清楚起见，可能放大了层及区域的尺寸及相对尺寸。应理解，当将元件或层称为在另一元件或层“上”或“连接至”另一元件或层之时， 其可为直接在另一元件或层上或直接连接至其它元件或层，或者存在居于其间的元件或 层。与此相反，当将元件称为“直接在另一元件或层上”、或“直接连接至”或另一元件或层 之时，并不存在居于其间的元件或层。整份说明书中相同标号是指相同的元件。如本文中 所使用的，用语“及/或”包括一或多个相关的所列项目的任何或所有组合。应理解，尽管本文中使用第一、第二、第三等来描述多个元件、组件、区域、层及/ 或部分，但这些元件、组件、区域、层及/或部分并不受这些用语的限制。这些用语仅用于使 一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区别开来。由此，下文所称之第一 元件、组件、区域、层或部分也可称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本专利技术的教 导。与空间相关的表述，如“下”、“上”等，在本文中使用是为了容易地表述如图所示的 一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应理解，这些与空间相关的表述除图中所示方 位之外，还意欲涵盖该设备在使用或工作中的不同方位。例如，若图中的该设备翻转，描述 为在其它元件或部件“下方”或“之下”的设备则会确定为在其它元件或部件“之上”。由此， 该示范性的表述“在...下方”可同时涵盖“在...上方”与“在...下方”两者。该设备可 为另外的朝向(旋转90度或其它朝向)，并且本文中所使用的这些与空间相关的表述亦作 相应的解释。本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并且并不意欲限制本专利技术。如本 文中所述的，单数形式的冠词意欲包括复数形式，除非其上下文明示。还应理解，当本说明 书中使用表述“包括”之时，明确说明了存在所描述的部件、整体、步骤、操作、元件及/或组 件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它部件、整体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于支撑基板的装置，包括：对所述基板进行支撑的上板；设在所述上板之下的下板；位于所述上板与所述下板之间的绝缘部件；电极，其位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离子体导向由所述上板支撑之基板上；及加热器，其位于所述绝缘部件与所述下板之间以加热由所述上板支撑之基板，其中所述绝缘部件包括体积电阻在约４００℃～约８００℃的温度下大于等于约１０↑［６］Ω－ｃｍ的材料，以减小所述加热器与所述电极之间的泄漏电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李范述，蔡济浩，李盛玟，
申请(专利权)人：高美科株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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