公开一种电子照相显影构件，所述电子照相显影构件能够同时实现抑制显影剂固着和抑制由抵接构件导致的变形并能够长时间稳定地形成图像。所述电子照相显影构件的特征在于满足由下式（１）至（３）表示的关系：（１）Ｃ３＜Ｃ２＜Ｃ１，（２）Ｃ３×１．３≤Ｃ１≤Ｃ３×５．０，和（３）２．０×１０－４≤Ｃ３≤７．０×１０－４，其中Ｃ１表示在距表面层表面深度为１００ｎｍ的区域内的平均交联密度，ｍｏｌ／ｃｍ３；Ｃ２表示在距表面层表面深度为１００ｎｍ至２００ｎｍ的区域内的平均交联密度，ｍｏｌ／ｃｍ３；Ｃ３表示在距表面层表面深度为深度２００ｎｍ至３００ｎｍ的区域内的平均交联密度，ｍｏｌ／ｃｍ３。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在电子照相图像形成设备中使用的电子照相显影构件(下文中也简 称“显影构件”)及其生产方法。本专利技术进一步涉及具有该电子照相显影构件的电子照相处 理盒，还涉及电子照相图像形成设备。
技术介绍
近年来，在电子照相图像形成设备中，随着朝向更高速度和更高图像品质的进展， 对于供给显影剂至其上已经形成静电潜像的电子照相感光构件的电子照相显影构件所需 要的性能已经变得更高。在日本专利特开申请2001-235941中，公开了设定显影构件(显影剂承载构件) 表面层的硬度高于内层的硬度以使显影构件与电子照相感光构件均勻接触，而且还设定显 影辊隙的宽度小以使得能够形成均勻和良好对比度的图像。该技术能够在半色调区域形成 具有良好图像品质的图像。
技术实现思路
对于在以上的日本专利特开申请2001-235941中公开的构造，本专利技术人已经进 行了很多研究。结果，他们已经发现，因为所述表面层的高硬度，根据日本专利特开申请 2001-235941的显影构件，当其与显影刮板等接触时能够很好地防止变形，但是它不可避免 地带来新问题由于显影剂对其的固着，其表面易于产生污点。因此，本专利技术的目的是提供 电子照相显影构件，所述电子照相显影构件既能够防止显影剂的固着也能防止通过其接触 构件(与其接触的构件)而变形，而且能够长时间形成稳定的图像。根据本专利技术的电子照相显影构件为如下电子照相显影构件其包括芯轴和设置于 所述芯轴外周面上的表面层，所述表面层含有聚氨酯树脂，其中；所述表面层满足以下表达式(1)至(3)，其中在距所述表面层表面直至深度 lOOnm、深度IOOnm至200nm和深度200nm至300nm的各区域内的平均交联密度分别由Cl、 C2 和 C3 (mol/cm3)表示(1)C3 < C2 < Cl ；(2)C3X1. 3 彡 Cl 彡 C3X5. O ；禾口(3)2. OXliT4 < C3 < 7· 0Χ1(Γ4。用于生产根据本专利技术所述的电子照相显影构件的方法是用于生产以上本专利技术的 电子照相显影构件的方法；该方法包括以下步骤将所述表面层用原料液的涂膜的固化膜 在大气压下进行等离子体处理。此外，根据本专利技术的电子照相处理盒为如下电子照相处理盒其至少具有用于在 其上形成静电潜像的感光构件和电子照相显影构件，将其如此构成以致可拆卸地安装至电 子照相图像形成设备，其中所述电子照相显影构件包括上述本专利技术的电子照相显影构件。更进一步地，根据本专利技术的电子照相图像形成设备为如下电子照相图像形成设备其至少具有用于在其上形成静电潜像的感光构件和电子照相显影构件，其中所述电子 照相显影构件包括以上本专利技术的电子照相显影构件。根据本专利技术，能够提供电子照相显影构件，其既能够防止显影剂固着和防止通过其接触构件而变形，而且能够长时间形成稳定的图像。根据本专利技术，还能够提供电子照相处 理盒，和能够长时间形成稳定的图像的电子照相图像形成设备。附图说明图IA和IB示出本专利技术的电子照相显影构件的实例，其中图IA示出平行于其长边方向的截面，图IB示出垂直于其长边方向的截面。图2A和2B示出本专利技术的电子照相显影构件的另一实例，其中图2A示出平行于其长边方向的截面，图2B示出垂直于其长边方向的截面。图3是大气压等离子体处理系统的示意性结构图。图4A和4B分别是说明在大气压等离子体处理系统中相对于等离子体处理构件的长边方向的等离子体产生区域的示意图。图5是示出根据本专利技术的电子照相处理盒和电子照相图像形成设备的实例的示意性结构图。具体实施例方式本专利技术人已经发现可以将在距其上已形成含有聚氨酯树脂的表面层的电子照相显影构件表面直至深度300nm的区域内的交联密度控制在本专利技术的范围内，这样，该显影 构件既能够防止显影剂固着于其，也能够防止通过其接触构件而变形。更具体地，当通过作用于显影构件和感光鼓或与前者接触的显影刮板之间的压力将显影剂压碎时，显影剂的固着可能发生。从该事实，可以使含有聚氨酯树脂的表面层具有 低平均交联密度，这对于显影构件防止显影剂固着于其是有效的。另一方面，为了防止显影构件通过其接触构件而变形，以下是有效的使表面层具有高平均交联密度，以使得由于感 光鼓或与其接触的显影刮板的变形量小。因此，考虑到显影剂的固着和由于接触构件的变形之间的平衡，对于表面层通常需要设定平均交联密度，这对于设计自由度施加了限制。本专利技术人已经对显影剂的劣化和显影构件的硬度之间的关系进行广泛的研究。结果，他们已经发现显影剂固着至表面层表面的程度和表面层由于接触构件的变形程度显 示与沿其整个深度方向距表面层表面直至深度300nm的区域内的交联密度的良好相关性。然后，他们已发现基于如在以上表达式(3)中所规定的距所述表面层表面深度为200nm至300nm的区域内的平均交联密度，如在以上表达式(1)和⑵中所规定，可将与 前者区域相比更接近于表面侧的区域内的平均交联密度设定为相对高，这能够良好地解决 根据本专利技术的课题。更具体地，根据本专利技术的电子照相显影构件具有芯轴和设置于所述芯轴外周面上的表面层，所述表面层含有聚氨酯树脂。然后，所述表面层满足以下表达式(1)至(3)，其 中通过显微取样质谱法测量的距表面层表面直至深度lOOnm、深度IOOnm至200nm和深度 200nm至300nm的各区域内的平均交联密度分别由C1、C2和C3(mol/cm3)表示(1)C3 < C2 < Cl ；(2)C3X1. 3 ≤ Cl ≤ C3X5. 0 ；和(3)2. OXliT4 ≤ C3 ≤ 7· 0Χ1(Γ4。以下说明根据本专利技术的条件⑴至⑶的技术意义。首先，如以上表达式(3)中所示的距表面层表面深度为200nm至300nm的区域内 (下文中也常称为“远深度区域(far-cbpth region)”)的交联密度对应于在远深度区域内 存在的聚氨酯树脂的交联密度。然后，当具有在该程度内的交联密度时，表面层能够具有绝 不施加任何过度应力至调色剂的柔软性。接着，表达式(1)意指，在沿深度方向距其表面直至300nm的区域内，当该区域越 接近于表面时，根据本专利技术的表面层的交联密度增加。表达式(2)也示出，在距表面直至 IOOnm的区域内的聚氨酯树脂的交联密度相对于在远深度区域内的交联密度的增加程度。然后，如此形成以致如由表达式(1)和(2)所限定，相对于其在远深度区域内的交 联密度，朝向表面侧的交联密度增加的表面层，即使接触构件长时间在相同位置与其接触 也不会容易地导致压缩永久变形。然而，其甚至能够为具有绝不施加任何过度应力至显影 剂的柔软性的表面层。满足以上条件(1)至(3)的表面层可通过以下获得形成用于形成表面层的聚氨 酯原料液的固化膜(聚氨酯树脂膜)，其后将形成的聚氨酯树脂膜在大气压下进行等离子 体处理。更具体地，该等离子体处理能够使聚氨酯树脂膜的交联密度在其表面和在表面附 近更高。另一方面，即使当进行等离子体处理时，聚氨酯树脂膜在远离表面部分处的交联密 度可能几乎不变化。因此，已经进行等离子体处理的聚氨酯树脂膜从表面沿深度方向的交 联密度能够降低，并且能够为满足以上条件(1)至(3)的表面层。此处，当将由聚氨酯树脂膜形成的表面层表面在空气中进行等离子体处理时，在 等离子体中产本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子照相显影构件，其包括芯轴和设置于所述芯轴外周面上的表面层，所述表面层包含聚氨酯树脂，其中；所述表面层满足以下表达式（１）至（３），其中在距所述表面层表面直至深度１００ｎｍ、深度１００ｎｍ至２００ｎｍ和深度２００ｎｍ至３００ｎｍ的各区域内的平均交联密度分别由Ｃ１、Ｃ２和Ｃ３（ｍｏｌ／ｃｍ↑［３］）表示：（１）Ｃ３＜Ｃ２＜Ｃ１；（２）Ｃ３×１．３≤Ｃ１≤Ｃ３×５．０；和（３）２．０×１０↑［－４］≤Ｃ３≤７．０×１０↑［－４］。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-2-7 2008-027633一种电子照相显影构件，其包括芯轴和设置于所述芯轴外周面上的表面层，所述表面层包含聚氨酯树脂，其中；所述表面层满足以下表达式(1)至(3)，其中在距所述表面层表面直至深度100nm、深度100nm至200nm和深度200nm至300nm的各区域内的平均交联密度分别由C1、C2和C3(mol/cm3)表示(1)C3＜C2＜C1；(2)C3×1.3≤C1≤C3×5.0；和(3)2.0×10-4≤C3≤7.0×10-4。2.根据权利要求1所述的电子照相显影构件，其中；所述表面层满足以下表达式(4)和(5)，其中，关于距所述表面层表面直至深度lOOnm、 深度IOOnm至200nm和深度200nm至300nm的相同的各区域，通过X射线光电子能谱法测 量的氧原子(0)与碳原子(C)的平均原子百分比，平均0/C原子比，分别由01、02和03表 示(4)03X0. 8 ^ 01 ^ 03X1. 1 ；禾口(5)0.27 ^ 01 ^ 0. 44。3.根据权利要求1或2所述的电子照相显影构件，其中；所述表面层进一步满足以下表达式(6)和(7)(6)C3X1. 5 ^ Cl ^ C3X3. 0 ；禾口(7)0...
【专利技术属性】
技术研发人员：河村邦正，山本有洋，石田和稔，中村实，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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