在基底上沉积材料的系统和方法技术方案

一种在基底上沉积膜的方法和设备包括紧邻分配器设置的等离子体源，分配器被构造为在基底上提供半导体涂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光伏装置生产。
技术介绍
在光伏装置的制造中，半导体材料被沉积在基底上。在基底上沉积半导体材料可 通过以下过程来完成使半导体汽化并将汽化的半导体引向基底表面，使得汽化的半导体 冷凝并沉积在基底上，从而形成固体半导体膜。
技术实现思路
一种沉积系统可以包括分配器，被构造为在基底上提供半导体涂层；第一电源， 被构造为加热分配器；等离子体源，紧邻分配器设置，等离子体源包括被构造为驱动等离子 体源的电极，其中，电极电学地独立于第一电源。在一些情况下，系统或方法可以包括附加电极，附加电极被构造为相对于基底偏 置等离子体源。电极可以是分配器上方的后盖。例如，电极可以包括非金属材料，例如碳。 在一个示例中，电极可以包括石墨。电极可以为间隔物。电极可以为后盖。间隔物可以为 石墨间隔物。后盖可以为石墨后盖。在其他的情况下，分配器可以包括具有第一套管和第二套管的一对套管。电极可 以是在第一套管和第二套管之间的间隔物。电极可以是在第一套管和第二套管上方的后至ΓΤΠ ο在其他的情况下，分配器可以包括具有第一套管和第二套管的一对套管。电极可 以是平行于第一套管和第二套管的导体。电极可以是在第一套管和第二套管上方的后盖。在其他的情况下，分配器可以是包括第一套管和第二套管的一对套管，等离子体 源可以包括三个彼此电隔离的石墨部件。第一石墨部件可以是将第一套管与第二套管分隔 开的第一间隔物。第二石墨部件可以是将第一套管与第二套管分隔开的第二间隔物。第三 石墨部件可以是在第一套管和第二套管上方的后盖。在其他的情况下，系统还可以包括在 后盖和每个间隔物之间的绝缘物。在某些情况下，分配器可以包括至少一个被构造为在基底上提供半导体涂层的分 配孔。等离子体源可通过直流来驱动。等离子体源可通过交流来驱动。等离子体源可通过 脉冲直流来驱动。等离子体源可通过射频电激发来驱动。在特定的情况下，系统或方法可以包括被构造为传输基底以便基底通过分配器的 传送器。分配器可以位于沉积室内，沉积室包括入口，将要被涂覆的基底通过入口被引入到 沉积室中，沉积室包括出口，被涂覆的基底通过出口离开沉积室。分配器可以包括陶瓷管。 分配器可以包括莫来石管。分配器可以包括陶瓷套管。在其他的情况下，系统或方法可以包括位于分配器内的能够透过的加热器。等离子体源可以被构造为在距基底小于10厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构 造为在距基底小于7厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构造为在距基底小于 5厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构造为在距基底小于2厘米的区域中产 生等离子体。一种在基底上沉积材料的方法可以包括以下步骤提供第一电源，第一电源被构 造为加热分配器，分配器被构造为在基底上沉积半导体涂层；提供等离子体源，等离子体源 包括电学地独立于第一电源的电极；在紧邻分配器和紧邻基底的空间内激发等离子体。在附图以及下面的描述中阐述了一个或多个实施例的详情。通过描述和附图以及 通过权利要求，其他的特征、目的以及优点将是明显的。附图说明图1为包括等离子体源的系统的示意图。图2为包括等离子体源的系统的示意图。图3为包括等离子体源的系统的示意图。具体实施例方式通常，沉积系统可以包括分配器、第一电源和等离子体源，分配器被构造为提供基 底上的半导体涂层，第一电源被构造为驱动分配器，等离子体源紧邻分配器设置，等离子体 源包括被构造为驱动等离子体源的电极，其中，所述电极电学地独立于第一电源。在一些情 况下，系统或方法可以包括被构造为相对于基底偏置等离子体源的附加电极。电极可以为 平行于分配器的导体。电极可以是分配器上方的后盖(backcap)。例如，电极可以包括非金 属材料，例如碳。电极可以包括石墨。分配器是被构造为通过一个或多个开口在基底上沉积材料的组件，分配器包括进 料管、套管(sheath tube)或进料管和套管。分配器可以包括具有第一套管和第二套管的 一对套管。套管可以通过多个孔提供蒸气的空间分布。套管可以至少部分地围绕诸如粉末 注射管的进料管。加热器可以为管，该管被设置为套住进料管。然后，加热器可以被套管套 住，从而形成三层基本上同心的管。该加热器可以为可透过的加热器，所述可透过的加热器 允许来自进料管的材料透过该加热器进入该加热器和套管之间的空间。参照图1，例如，分配器可以为包括诸如陶瓷套管的套管34的组件。一方面，分配 器可以为包括套管、加热器和进料管的组件。陶瓷套管可以套住诸如可透过的加热器的加 热器24，然后加热器24可以套住进料管。套管可以包括一个或多个分配孔36，分配孔36 被构造为在基底8上提供半导体涂层。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电 极。系统还可以包括被构造为相对于基底偏置等离子体源的附加电极。在某些情况下，分 配器可以包括一对套管。在一个实施例中，电极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔 物(spacer)。间隔物可以包括石墨横杆(cross-rod)电极。间隔物可以包含诸如碳的非金 属材料或其他耐腐蚀的材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可以 是套管之上的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物可以位于间隔物和石墨后盖之间。图2为沿图1的面A-A截取的剖视图。系统可以包括被构造为电阻式地加热分配器组件30的分配器电源100、紧邻分配器组件并紧邻基底8设置的第一等离子体源4和第 二等离子体源5。第二等离子体源可以包括石墨横杆电极5a。在该结构中，第一等离子体 源4和第二等离子体源5并联。第一或第二等离子体源可以在处于分配器内部且紧邻基底 的空间40内激发等离子体。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电源10。等 离子体源还可以包括电极4和被构造为相对于基底8偏置等离子体的附加电源20。分配器 可以包括套管3、被套管套住的能够透过的加热器2和被能够透过的加热器套住的进料管。 分配器可以包括一个或多个被构造为在基底上提供半导体涂层的分配孔7。在一个实施例 中，例如，电极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔物，或可以为横杆电极5a。间隔物 可以包含诸如碳的非金属材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可 以是第一套管和第二套管上方的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物6可以位于间隔物 和石墨后盖之间。 图3为另一个实施例的剖视图，该剖视图示出了包括被构造为电阻式地加热分配 器组件30的分配器电源100、紧邻分配器组件并紧邻基底8设置的第一等离子体源4和第 二等离子体源5的系统。第一或第二等离子体源可以在处于分配器内部且紧邻基底的空间 40内激发等离子体。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电源10。等离子体 源还可以包括电极4和被构造为相对于基底8偏置等离子体的附加电源20。分配器可以包 括套管3、被套管套住的可透过的加热器2和被可透过的加热器套住的进料管。分配器可以 包括一个或多个被构造为在基底上提供半导体涂层的分配孔7。在一个实施例中，例如，电 极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔物，或可以为横杆电极。间隔物可以包含诸如 碳的非金属材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可以是在第一套 管和第二套管上方的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物6可以位于间隔物和石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积系统，所述沉积系统包括：分配器，被构造为在基底上提供半导体涂层；第一电源，被构造为加热所述分配器；等离子体源，紧邻所述分配器设置，所述等离子体源包括被构造为驱动所述等离子体源的电极，其中，所述电极电学地独立于所述第一电源。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-1-15 61/021,148一种沉积系统，所述沉积系统包括分配器，被构造为在基底上提供半导体涂层；第一电源，被构造为加热所述分配器；等离子体源，紧邻所述分配器设置，所述等离子体源包括被构造为驱动所述等离子体源的电极，其中，所述电极电学地独立于所述第一电源。2.如权利要求1所述的系统，还包括附加电极，所述附加电极被构造为相对于所述基 底偏置所述等离子体源。3.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极包括非金属材料。4.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极包括碳。5.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极是所述分配器上方的后盖。6.如权利要求5所述的系统，其中，所述后盖为石墨后盖。7.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器是包括第一套管和第二套管的一对套管。8.如权利要求7所述的系统，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管之间 的间隔物。9.如权利要求8所述的系统，其中，所述间隔物为石墨间隔物。10.如权利要求5所述的系统，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管上方 的后盖。11.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器是包括第一套管和第二套管的一对套 管，所述等离子体源包括三个彼此电隔离的石墨部件。12.如权利要求11所述的系统，其中，所述第一石墨部件是将所述第一套管与所述第 二套管分隔开的第一间隔物，所述第二石墨部件是将所述第一套管与所述第二套管分隔开 的第二间隔物，所述第三石墨部件是在所述第一套管和所述第二套管上方的后盖。13.如权利要求12所述的系统，还包括在所述后盖与每个所述间隔物之间的绝缘物。14.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括至少一个被构造为在基底上提供 半导体涂层的分配孔。15.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过直流来驱动。16.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过交流来驱动。17.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过脉冲直流来驱动。18.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过射频电激发来驱动。19.如权利要求1所述的系统，还包括被构造为传输所述基底以便所述基底通过所述 分配器的传送器。20.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器位于沉积室内，所述沉积室包括入口， 将要被涂覆的基底通过所述入口被引入到所述沉积室中，所述沉积室包括出口，被涂覆的 基底通过所述出口离开所述沉积室。21.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括陶瓷管。22.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括莫来石管。23.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括陶瓷套管。24.如权利要求1所述的系统，还包括位于所述分配器内的能够透过的加热器。25.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于10厘米的 区域中产生等离子体。26.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于7厘米的 区域中产生等离子体。27.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于5厘米的 区域中产生等离子体。28.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于2厘米的 区域中产生等离子体。29...

【专利技术属性】
技术研发人员：瑞克C鲍威尔，
申请(专利权)人：第一太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]