光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻方法，包括：对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层（ＴＡＲＣ）膜；对涂有ＴＡＲＣ膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。应用本发明专利技术所述的方案，能够减少ＴＡＲＣ溶液的用量，进而降低光刻工艺的实现成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
现有技术中，在进行离子注入等工艺之前，需要先利用光刻工艺在硅片表面形成 所需图形，然后再根据形成的图形进行离子注入等。图1为现有光刻工艺的实现过程示意 图。如图1所示，包括以下步骤步骤101 对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理。清洗包括湿法清洗和去离子水冲洗，以去除硅片表面的污染物，如颗粒、有机物以 及工艺残余等；脱水致干烘培在一个封闭腔内完成，以去除硅片表面的大部分水汽；脱水 后立即用六甲基二硅胺烷(HMDS)等进行成膜处理，以增强硅片表面的黏附性。步骤102 在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶。通常，还需要对旋涂到硅片表面的光刻胶进行软烘处理，以去除光刻胶中的溶剂， 从而提高光刻胶对硅片表面的黏附性以及光刻胶的均勻性。步骤103 在光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层(TARC)膜。由于后续需要对光刻胶进行曝光处理，为了保证后续曝光质量，即尽量避免光的 反射，消除驻波效应，本步骤中，需要在光刻胶上旋涂一层TARC膜。下面结合附图，对TARC膜的旋涂过程作进一步说明图2为现有TARC膜的旋涂过程示意图。其中，图2(A)为未旋涂TA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻方法，该方法包括：对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层ＴＡＲＣ膜；对涂有ＴＡＲＣ膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。

【技术特征摘要】
一种光刻方法，该方法包括对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层TARC膜；对涂有TARC膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃柳莎，安辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31