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本发明公开了一种光刻方法，包括：对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层（ＴＡＲＣ）膜；对涂有ＴＡＲＣ膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。应用...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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