【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及具有一个或多个ffl-V族晶体的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
ni-v族晶体由于它们具有宽带隙而应用于多种光学和电子应用领域。 如，在某些光电器件中，m-v族晶体可以用来发射以其它方式难以获得的 波长的光(如，蓝光)。然而，难以生长m-v族晶体的外延层，或难以将这 种晶体生长至合适的尺寸以用于实际应用。在特定类型的晶体(如硅)基 底上生长in-v族晶体的外延层也是困难的，因为m-v族晶体的晶格常数与 基底的晶格常数不匹配。特别地，在基底上生长具有不同晶格常数的一组 m-v族晶体通常导致在该组m-v族晶体中形成缺陷。如果所生长的ni-v族 晶体具有过多的缺陷，则该晶体的光电特性将受损失(如，发光效率减弱， 或电阻增加或减少很多)。
技术实现思路
一个实施例为器件。该器件包括其上具有晶体支撑结构的基底和m-v 族晶体。ni-v族晶体位于所述晶体支撑结构中的一个的单个接触区域上。 所述接触区域的面积不大于所述ni-v族晶体的表面积的约百分之五十。另一个器件实施例包括m-v族晶体。所述m-v族晶体除了从所述ni-v族晶体中间地设置的缺陷区域之外，具有...
【技术保护点】
一种器件，包括： 基底，其上具有晶体支撑结构；和 Ⅲ－Ⅴ族晶体，位于所述晶体支撑结构中的一个的单个接触区域上，其中，所述接触区域的面积不大于所述Ⅲ－Ⅴ族晶体的表面积的约百分之五十。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特尤金弗拉姆，霍克额，布里杰什维亚斯，
申请(专利权)人：朗讯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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