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本发明公开一种宽带隙半导体器件。器件（１００）包括其上具有晶体支撑结构（１１０）的基底（１１５）和Ⅲ－Ⅴ族晶体（２１０）。Ⅲ－Ⅴ族晶体位于所述晶体支撑结构中之一的单个接触区域（１４０）上。所述接触区域的面积不大于所述Ⅲ－Ⅴ族晶体的表面积（３...
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