粒子去除方法及化合物技术

一种清洁电子基板的方法和清洁溶液，所述基板例如半导体晶片、硬盘、光掩膜或压印模。所述方法包括：利用含有多聚磷酸盐的溶液接触所述基板表面；从所述表面去除所述清洁溶液。一个可选的步骤包括在清洁溶液与所述表面接触时，对所述清洁溶液施加声能，并在施加声能或不施加声能的情况下，通过利用冲洗溶液冲洗所述表面将清洁溶液从所述表面冲走。清洁溶液包括多聚磷酸盐，例如任何水溶性的多聚磷酸盐。取决于应用，清洁溶液也可以包括碱和／或一些悬浮粒子。清洁溶液也可以加入添加络合剂、胺、生物杀灭剂、表面活性剂和／或其他物质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利说明粒子去除方法及化合物
技术介绍
目前，粒子去除通常通过机械和化学机制的结合来完成。存在有六种主要的机械方法从基板上去除粒子(1)刷子擦洗；(2)浸入液体的同时，兆声波或超声波振动；(3)高压水或液体喷射；(4)气雾(气体环境中的加速的液体小液)滴射流轰击；(5)打磨或抛光；(6)冰冲击或冰轰击，或固体粒子或固体小球轰击。 在很多晶片或硬盘中，一些专用的工具被用来清除粒子，通常称为除尘器。在很多除尘器中，采用以上六种机械粒子清除方法的结合或其中一个时，只是在室温或有时采用加热的去离子水。有时可以加入化学物质，以增强清除效率。通常，这六种去除粒子的机械方法中的一个或多个也被用在清洁工具中。清洁工具与除尘器不同之处在于，在清洁工具中通常清除粒子的这六种方法之一与化学物质(而不是简单的去离子水)结合，以通过机械方法和化学方法的结合去除粒子，除了粒子去除功能之外，还可以有其他功能。例如，金属杂质，有机杂质，甚至Si3N4、SiO2、poly-Si、Ni、Co、Ti、TiN或其他层的湿法蚀刻，以及光蚀刻的湿法剥离都可以在清洁工具中进行。 在硬盘的除尘器或清洁工具中，通常采用超声波、兆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁基板的方法，包括：利用含有多聚磷酸盐的溶液接触选自以下基板的表面：半导体晶片、光掩膜、压印模和硬盘；从所述表面去除所述清洁溶液。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克J贝克，
申请(专利权)人：丰塔纳技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]