【技术实现步骤摘要】
本专利文件涉及半导体技术，更具体地，涉及包括选择器的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、最近，随着电子设备趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，本领域中已经要求能够在诸如计算机、便携式通信设备等的多种电子设备中存储信息的半导体器件，并且已经对半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括能够使用根据施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件，例如，rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
1、在实施例中，一种半导体器件可以包括：选择器图案，包括掺杂有掺杂剂的绝缘材料，以响应于相对于阈值电压的施加电压而呈现不同的导电特性，其中，选择器图案包括第一区域和第二区域，第一区域形成在从选择器图案的侧壁延伸的边缘中，第二区域具有与第一区域接触的侧壁，以及第一区域中的掺杂剂浓度不同于第二区域中的掺杂剂浓度。
2、在实施例中，一种用于制造半导体器件的方法可以...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域的宽度从所述第一区域的顶表面到所述第一区域的底表面减小。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，除了所述选择器图案之外，还包括附加的选择器图案，所述附加的选择器图案在平面图中与所述选择器图案一起布置为在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上的选择器图案阵列，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域的宽度小于所述选择器图案的所述第一区域的宽度。
6.根据权利要求4所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域的宽度从所述第一区域的顶表面到所述第一区域的底表面减小。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，除了所述选择器图案之外，还包括附加的选择器图案，所述附加的选择器图案在平面图中与所述选择器图案一起布置为在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上的选择器图案阵列，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域的宽度小于所述选择器图案的所述第一区域的宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域中的掺杂剂浓度小于所述选择器图案的所述第一区域中的掺杂剂浓度。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述电极图案的所述侧壁与所述选择器图案的所述侧壁对准。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一掺杂剂注入工艺和所述第二掺杂剂注入工艺向所述选择器层注入共同的掺杂剂。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二掺杂剂注入工艺期间的离子注入能量小于所述第一掺杂剂注入工艺期间的离子注入能量。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：董且德，金正明，崔巨洛，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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