一种全彩化Micro-LED芯片和显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本公开提供一种全彩化Micro‑LED芯片和显示装置及其制备方法，全彩化Micro‑LED芯片包括设于基体层上的功能层，功能层包括沿第二方向层叠设置的n型半导体层和量子阱层；功能层包括至少一组单元组，每一单元组包括沿第一方向分布的第一子单元、第二子单元和第三子单元，第一方向与第二方向相交；第一子单元的蓝光量子阱层背离n型半导体层的一面、第二子单元的绿光量子阱层背离n型半导体层的一面、第三子单元的红光量子阱层背离n型半导体层的一面齐平。本公开能够实现同时单片集成RGB全彩化Micro‑LED芯片，具有制备过程简单等优势。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体发光器件，具体涉及一种全彩化micro-led芯片和显示装置及其制备方法。

技术介绍

1、目前，实现微型发光二极管(micro-led)全彩化方案主要有，ingan基蓝光(b)、绿光(g)和红光(r)方案，ingan基蓝光、绿光和algainp基红光方案，以及ingan基蓝光micro-led和红、绿量子点色转化方案实现全彩化显示。

2、其中，由于蓝光量子阱层、绿光量子阱层和红光量子阱层的成膜工艺不同等因素，ingan材料实现rgb全彩，需要在蓝宝石衬底或者硅衬底上独立生长蓝光、绿光和红光led，随后依次进行micro-led芯片制作工艺，最后进行硅基像素驱动电路绑定(bonding)，或者也可以通过“巨量转移”的方式集成至硅基像素驱动电路中，从而实现rgb全彩化显示，制备过程复杂。

技术实现思路

1、本公开提供一种全彩化micro-led芯片和显示装置及其制备方法，能够在同一基体层上同时形成蓝光量子阱层、绿光量子阱层和红光量子阱层，实现同时单片集成rgbmicro-led芯片，获本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全彩化Micro-LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED芯片，其特征在于，所述基体层包括位于所述n型半导体层背离所述量子阱层的一侧的图形化层，所述图形化层面向所述n型半导体层的一面包括与所述单元组一一对应的台面组，每一所述台面组包括沿所述第一方向分布的第一台面、第二台面和第三台面，以所述图形化层背离所述n型半导体层的一面为基准，所述第一台面的高度大于所述第二台面的高度、所述第二台面的高度大于所述第三台面的高度，所述第一子单元位于所述第一台面上，所述第二子单元位于所述第二台面上，所述第三子单元位于所述第三台面上。

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【技术特征摘要】

1.一种全彩化micro-led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，所述基体层包括位于所述n型半导体层背离所述量子阱层的一侧的图形化层，所述图形化层面向所述n型半导体层的一面包括与所述单元组一一对应的台面组，每一所述台面组包括沿所述第一方向分布的第一台面、第二台面和第三台面，以所述图形化层背离所述n型半导体层的一面为基准，所述第一台面的高度大于所述第二台面的高度、所述第二台面的高度大于所述第三台面的高度，所述第一子单元位于所述第一台面上，所述第二子单元位于所述第二台面上，所述第三子单元位于所述第三台面上。

3.根据权利要求2所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，所述基体层还包括位于所述n型半导体层背离所述量子阱层的一侧的衬底、位于所述衬底与所述n型半导体层之间的第一u-gan层；其中，

5.根据权利要求4所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述基体层还包括位于所述aln缓冲层与所述第一u-gan层之间的应力调控层，所述应力调控层包括algan层，且其中的al组分含量沿所述aln缓冲层至所述第一u-gan层的方向呈降低趋势，所述降低趋势为梯度降低或线性渐变式降低。

6.根据权利要求1所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，所述n型半导体层包括n++-gan重掺杂层、以及位于所述n++-gan重掺杂层与所述量子阱层之间的n-algan/n-gan超晶格层；其中，

7.根据权利要求1所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，所述功能层还包括位于所述n型半导体层与所述量子阱层之间的第二u-gan层、位于所述第二u-gan层与所述量子阱层之间的u-inx”'ga1-x”'n/u-iny”'ga1-y”'n超晶格层，0.01≤x”'≤0.1，y”'＝0或者0.005≤y”'≤0.01，其中，

8.根据权利要求1所述的全彩化micro-led芯片，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：黄振，王程功，李铎，李晓凯，
申请(专利权)人：北京字跳网络技术有限公司，
类型：发明
国别省市：