Micro LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了Micro LED芯片及其制作方法。Micro LED芯片包括：驱动背板，驱动背板具有像素驱动电路；第一反射层，第一反射层设置在驱动背板的一侧；多个间隔设置的第一导电膜层；多个LED发光单元，多个LED发光单元设置在第一导电膜层远离驱动背板的一侧；钝化层，钝化层至少覆盖LED发光单元的侧壁；第二反射层，第二反射层至少覆盖钝化层的侧壁；第一绝缘层；第二导电膜层，第二导电膜层与LED发光单元接触；以及多个凹面反射层，凹面反射层设置在第一绝缘层远离驱动背板的一侧，每个凹面反射层环绕一个LED发光单元设置。凹面反射层可以至少在一定程度上降低LED发光单元之间的光串扰并收敛出光发散角，提高芯片的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，具体地，涉及micro led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、针对高ppi(像素密度)的ingan基rgb全彩化microled芯片制程中，随着平均in组分的增加，ingan量子阱结构缺陷密度会提高；此外，微纳加工过程中容易造成microled芯片的表面及侧壁损伤，形成表/界面态或缺陷态(非辐射复合中心)。随着芯片尺寸的进一步减小，表面态密度占比增加，导致小电流注入条件下工作的microled的亮度及效率下降更为显著。

2、依据microled芯片的电光转换效率公式ηwpe＝ηiqe×ηextra×ηelectr，其中，ηwpe为led器件的电光转换效率，ηiqe为led器件的内量子效率，ηextra为led器件的光提取效率，ηelectr为led器件的电注入效率，ηiqe通常采用降低材料缺陷密度以及优化量子阱结构等方法进行改善，除此之外，提升led器件的光提取效率(ηextra)和电注入效率(ηelectr)也是提升电光转换效率(ηwpe)的关键。

3、因此，目前的micro led芯片及其制作方法仍有待本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：

3.一种制作Micro LED芯片的方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，形成所述LED发光单元包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用激光剥离工艺将所述衬底剥离，任选的，脉冲激光波长为355nm、266nm或248nm。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底或碳化硅衬底，形成所述LED发光单元包括：...

【技术特征摘要】

1.一种micro led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的micro led芯片，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：

3.一种制作micro led芯片的方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，形成所述led发光单元包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用激光剥离工艺将所述衬底剥离，任选的，脉冲激光波长为355nm、266nm或248nm。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底或碳化硅衬底，形成所述led发光单元包括：

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振，王程功，李铎，李晓凯，
申请(专利权)人：北京字跳网络技术有限公司，
类型：发明
国别省市：