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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：选择器图案，包括掺杂有掺杂剂的绝缘材料，以响应于相对于阈值电压的施加电压而呈现不同的导电特性，其中选择器图案包括第一区域和第二区域，第一区域形成在从选择器图案的侧壁延伸的边缘中，第二区域...
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