黄光发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种黄光发光二极管，包括一个基座，一个发光二极管晶粒，一个荧光粉层以及一个封装体。该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒，且该发光二极管晶粒设置在该基座上。该荧光粉层为钇铝石榴石荧光粉层，其分布在发光二极管晶粒的出光路径上，且该钇铝石榴石荧光粉层的厚度大于２５０微米。该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。该黄光发光二极管具有色彩偏移小且发光效率高的特点。本发明专利技术还提供了采用该种黄光发光二极管的发光装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种黄光发光二极管，以及具有该种黄光发光二极管的发光装置。
技术介绍
与传统光源相比，发光二极管具有无汞、体积小、光学特性佳等优点。随着发光二 极管发光效率的不断提升，越来越多的发光二极管被作为光源而采用。目前常用的黄光二极管通常为磷化铟镓铝(AlxInyGazP)发光二极管，该种黄光发 光二极管的发光波长通常为560 590纳米。然而，磷化铟镓铝(AlxInyGazP)发光二极管晶 粒的制造过程中，由于铝、铟元素的掺杂，使得晶粒发光层的晶格与其他磊晶层和基板的晶 格均不匹配，从而产生大量晶格缺陷，进而导致磷化铟镓铝(AlxInyGazP)发光二极管晶粒的 发光效率低下。另外，由于磷化铟镓铝(AlxInyGazP)材料的耐高温性能较差，环境温度的变 化使得磷化铟镓铝(AlxInyGazP)发光二极管晶粒的色彩会发生较大偏移且发光效率较低， 使得采用磷化铟镓铝(AlxInyGazP)发光二极管晶粒的发光装置的演色性较差。有鉴于此，有必要提供一种色彩偏移小且发光效率高的黄光发光二极管。
技术实现思路
下面将以具体实施例说明一种色彩偏移小且发光效率高的黄光发光二极管一种黄光发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黄光发光二极管，包括：一个基座；一个设置在该基座上的发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒；一个位于发光二极管晶粒出光路径上的荧光粉层，该荧光粉层的材质为钇铝石榴石荧光粉且该荧光粉层的厚度大于２５０微米；一个封装体，该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。

【技术特征摘要】
一种黄光发光二极管，包括一个基座；一个设置在该基座上的发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒；一个位于发光二极管晶粒出光路径上的荧光粉层，该荧光粉层的材质为钇铝石榴石荧光粉且该荧光粉层的厚度大于250微米；一个封装体，该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。2.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该基底包括用于收容发光二极 管晶粒的反射杯，该反射杯包括呈倒置圆锥状的收容空间，该发光二极管晶粒设置在反射 杯收容空间的底部，该荧光粉层设置在反射杯的顶端开口处，该荧光粉层与收容空间的底 部表面平行，并遮盖该反射杯的顶端开口。3.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该封装体包括用于将其内部的 光输出至外界的出光面，该基底包括用于收容发光二极管晶粒的反射杯，该反射杯包括用 于收容发光二极管晶粒的收容空间，该发光二极管晶粒设置在反射杯收容空间的底部，该 荧光粉层设置在反射杯的顶端开口处，该荧光粉层与封装体的出光面平行并遮盖该反射杯 的顶端开口。4.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该荧光粉层任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津仲男，赖志铭，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，沛鑫能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]