【技术实现步骤摘要】
本公开内容是关于存储器装置和其形成方法，且特别是关于具有气隙的存储器装置。
技术介绍
1、随着存储器装置中的特征临界尺寸(critical dimension，cd)变得越小，存储器装置的尺寸也相应减小，从而增加装置中的元件密度。然而，紧密元件之间减少的距离可能容易造成影响元件的寄生电容。因此，形成存储器装置需要一种形成气隙的方法，使气隙有效减少寄生电容而不损坏元件。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施例，一种存储器装置包括基板上的位元线、覆盖位元线的多层间隔物，以及夹置在多层间隔物中的低介电常数介电层，其中低介电常数介电层的顶表面低于位元线的顶表面。存储器装置还包括夹置在多层间隔物中的气隙，其中气隙位于低介电常数介电层上方。气隙落于基板上的垂直投影与低介电常数介电层落于基板上的垂直投影部分地重叠。存储器装置还包括邻近于多层间隔物的单元接触件，其中多层间隔物、低介电常数介电层和气隙设置在位元线和单元接触件之间。
2、在一些实施例中，低介电常数介电层的顶表面位于位元线的顶表面...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的该顶表面位于该位元线的该顶表面和该位元线中的功函数层的顶表面之间。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的高度和该位元线的高度的比例等于或高于0.5。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的介电常数在2.7至3.1的范围中。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该多层间隔物包括：
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该第...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的该顶表面位于该位元线的该顶表面和该位元线中的功函数层的顶表面之间。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的高度和该位元线的高度的比例等于或高于0.5。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该低介电常数介电层的介电常数在2.7至3.1的范围中。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该多层间隔物包括：
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隔物层分离该低介电常数介电层和该气隙。
7.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该第一间隔物层的侧壁平行于该第三间隔物层的侧壁，以及该低介电常数介电层、该第二间隔物层和该气隙夹置在该第一间隔物层的该侧壁和该第三间隔物层的该侧壁之间。
8.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隔物层的厚度小于该低介电常数介电层的宽度。
9.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该气隙的宽度等于该低介电常数介电层的宽度。
10.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该气隙的顶表面高于该位元线的该顶表面。
11.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：许国忠，李恩瑞，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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