移动离子源活化镀膜装置及晶圆键合系统制造方法及图纸

技术编号:43395110 阅读:34 留言:0更新日期:2024-11-19 18:11
本发明专利技术公开了一种移动离子源活化镀膜装置及晶圆键合系统,属于晶圆键合技术领域。移动离子源活化镀膜装置包括平移驱动机构、处理单元和至少两个旋转驱动机构,平移驱动机构包括移动板,移动板能够沿第一方向移动;处理单元包括靶材和至少两个离子源,至少两个离子源沿第一方向间隔设置于移动板上,离子源沿第二方向的两端与移动板转动连接,靶材设置于其中之一离子源的背面;至少两个旋转驱动机构分别与对应的至少两个离子源传动连接,用于驱动离子源转动。本发明专利技术保证晶圆表面活化均匀,提高活化效率,实现了对样品的离子束活化和溅射镀膜两种表面处理方式的兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆键合,尤其涉及一种移动离子源活化镀膜装置及晶圆键合系统


技术介绍

1、近年来,室温晶圆直接键合技术被广泛研究,该技术的一种实现方式便是在键合前使用离子束对晶圆表面进行活化,这样做的目的有两个:1.增加晶圆表面的有效自由能;2.获得清洁且平整的晶圆表面。这对顺利实现晶圆直接键合,提高晶圆表面的键合强度,降低后续工艺难度如降低退火温度等大有裨益。

2、但是,现有的离子束活化技术方案中,一般会将离子源固定在真空腔体中,对待作用样品进行照射,不仅容易造成晶圆表面活化不均匀,而且由于离子束的方向性,只能照射到晶圆表面的一个固定且相对较小的区域,无法实现大面积的活化,活化效率低。对一些需要离子束活化和溅射镀膜工序的样品,需要两套设备进行处理,效率低。

3、为此,亟需提供一种移动离子源活化镀膜装置及晶圆键合系统以解决上述问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种移动离子源活化镀膜装置及晶圆键合系统,一方面保证晶圆表面活化均匀,一方面提高活化效率,另一方面实现了对样品的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述平移驱动机构(1)还包括第一电机(12)、丝杠(13)和滑块(14),所述丝杠(13)沿所述第一方向延伸,所述第一电机(12)与所述丝杠(13)同轴线传动连接,所述滑块(14)与所述丝杠(13)螺纹传动连接,所述移动板(11)与所述滑块(14)固定连接。

3.根据权利要求2所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述移动离子源活化镀膜装置还包括腔室(4),所述腔室(4)的腔体壁(41)设置有第一磁流体密封装置(42),所述平移驱动机构(1)还包括第一联...

【技术特征摘要】

1.移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述平移驱动机构(1)还包括第一电机(12)、丝杠(13)和滑块(14),所述丝杠(13)沿所述第一方向延伸,所述第一电机(12)与所述丝杠(13)同轴线传动连接,所述滑块(14)与所述丝杠(13)螺纹传动连接,所述移动板(11)与所述滑块(14)固定连接。

3.根据权利要求2所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述移动离子源活化镀膜装置还包括腔室(4),所述腔室(4)的腔体壁(41)设置有第一磁流体密封装置(42),所述平移驱动机构(1)还包括第一联轴器(15)和第二联轴器(16),所述第一电机(12)通过所述第一联轴器(15)与所述第一磁流体密封装置(42)的第一端固定连接,所述第一磁流体密封装置(42)的第二端通过所述第二联轴器(16)与所述丝杠(13)固定连接。

4.根据权利要求3所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述腔室(4)内沿所述第一方向间隔设置有两个第一轴承座(43),所述丝杠(13)的两端分别与两个所述第一轴承座(43)转动连接。

5.根据权利要求3所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述平移驱动机构(1)还包括至少两组第二轴承座(17),至少两组所述第二轴承座(17)沿所述第一方向间隔设置,每组所述第二轴承座(17)中的两个所述第二轴承座(17)沿所述第二方向间隔设置于所述移动板(11)上,所述离子源(22)的两端分别与两个所述第二轴承座(17)转动连接。

6.根据权利要求5所述的移动离子源活化镀膜装置,其特征在于,所述第二轴承座(17)内转动设置有转轴(18),每组所述第二轴承座(17)中的其中之一的所述第二轴承座(17)的所述转轴(18)的第一端与所述离子源(22)固定连接,所述转轴(18)的第二端与所述旋转驱动机构(3)传动连接。

7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员:马强高智伟母凤文谭向虎刘福超
申请(专利权)人:天津中科晶禾电子科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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