一种高密度扇出封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种高密度的扇出封装结构，包括芯片；第一互连层，其设置于所述芯片表面，包括重布线路；集成器件，所述集成器件设置于所述第一互连层上；金属柱，其第一端与所述第一互连层连接；塑封层，其包覆所述金属柱及所述集成器件，但露出所述金属柱的第二端面及所述集成器件的背部；第二互连层，其设置于所述塑封层的第二表面，且包括重布线电路，所述重布线电路与所述金属柱的第二端和集成器件电连接；以及外接焊球，其设置与所述第二互连层的外接焊盘处。封装内部集成了ASIC、DDR芯片和IPD集成无源器件，封装面积更小，成本更低且缩短了工艺周期，可应用于服务器、数据中心、高性能计算等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别设计一种高密度扇出封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、高性能计算(hpc)对于大数据分析、人工智能和云计算等应用至关重要。自动驾驶汽车、边缘计算服务器和数据中心等产品需要高计算速度、高内存访问带宽和容量以及高输入/输出(i/o)带宽。由于2.5d硅转接板技术在电气性能、翘曲控制、良率和可靠性等方面的优势，被成功地应用于异质集成和芯片集成。随着先进封装技术单位面积下的输入输出i/0越来越密集,封装尺寸(例如2.5d封装)越来越大。现有2.5d封装中硅转接板的最大面积约2500mm2，现有fcbga基板的最大尺寸约10000mm2，增大硅转接板和fcbga基板的面积会面临良率和制造挑战。

技术实现思路

1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术的第一方面提供一种高密度扇形封装结构，包括：

2、芯片；

3、第一互连层，其设置于所述芯片表面，包括重布线路；

4、集成器件，所述集成器件设置于所述第一互连层上；

5、金属柱，其第一端与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高密度扇出封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述芯片包括至少一个AS IC芯片。

3.如权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件包括以下中的一种或多种：DDR堆叠芯片模组、深槽电容DTC和集成无源器件IPD模组。

4.如权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件至少包含一个DDR堆叠芯片模组，所述第二焊盘位于DDR芯片的pad处。

5.如权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件至少包含两个深槽电容DTC与对应的集成无源器件IPD模组，深槽电容DTC与...

【技术特征摘要】

1.一种高密度扇出封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述芯片包括至少一个as ic芯片。

3.如权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件包括以下中的一种或多种：ddr堆叠芯片模组、深槽电容dtc和集成无源器件ipd模组。

4.如权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件至少包含一个ddr堆叠芯片模组，所述第二焊盘位于ddr芯片的pad处。

5.如权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述集成器件至少包含两个深槽电容dtc与对应的集成无源器件ipd模组，深槽电容dtc与集成无源器件ipd上下堆叠。

6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帅，苏鹏，徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：