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本发明公开一种高密度的扇出封装结构，包括芯片；第一互连层，其设置于所述芯片表面，包括重布线路；集成器件，所述集成器件设置于所述第一互连层上；金属柱，其第一端与所述第一互连层连接；塑封层，其包覆所述金属柱及所述集成器件，但露出所述金属柱的第二...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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