一种双面散热半桥功率器件制造技术

本发明专利技术公开了一种双面散热半桥功率器件，包括上桥IGBT芯片、上桥FRD芯片、下桥IGBT芯片、下桥FRD芯片；所有上桥IGBT芯片的集电极与所有上桥FRD芯片的阴极分别通过第一连接层与第一上铜层连接；所有下桥IGBT芯片的发射极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过第二连接层与第二上铜层连接；所有上桥IGBT芯片的发射极与所有上桥FRD芯片的阳极分别通过一第一垫片连接至导流柱下表面，所有下桥IGBT芯片的集电极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过一第二垫片连接至导流上表面，实现上下桥的电气连接。本发明专利技术能够解决现有双面散热模块存在的电流密度无法进一步提升，以及各回路寄生电感不一致的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件，具体涉及一种双面散热半桥功率器件。

技术介绍

1、igbt功率器件作为电压驱动型器件广泛应用于电源、中大功率变流器中。传统的igbt功率模块主要由igbt芯片，陶瓷覆铜基板，封装互连材料，键合线，电连接端子等组成，芯片焊接在陶瓷覆铜基板上。随着功率电子器件向高密度化，大功率，小型化发展，电子器件的散热问题愈发严重。传统的焊接式igbt模块一方面受焊接、灌封、引线键合等工艺的影响，很难大幅提升其功率等级，并且存在焊料疲劳和焊料层空洞、键合线脱落等多种引起失效的隐患。芯片产生的热量主要通过热传导的方式从芯片、焊料、陶瓷覆铜基板、底板并通过自然冷却、风冷及液体等方式对功率模块进行散热，这种芯片平面分布结构导致模块体积大、散热效果差，只能单向传热，模块热阻较大，造成芯片与散热面的温差大，在长期使用过程中，芯片容易因温度过高而失效。

2、相对于传统单面散热功率模块，双面冷却功率模块具有更强的散热能力和更低的寄生参数。近年来，随着车用电机控制器的效率、功率密度和可靠性要求进一步提升，双面散热功率模块在电动汽车上的应用得到了越来本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面散热半桥功率器件，其特征在于：包括一个或多个并联设置的上桥IGBT芯片(1)、一个或多个并联设置的上桥FRD芯片(2)、一个或多个并联设置的下桥IGBT芯片(7)、一个或多个并联设置的下桥FRD芯片(8)；其中，所有上桥IGBT芯片(1)的集电极与所有上桥FRD芯片(2)的阴极分别通过一第一连接层(31)与第一陶瓷覆铜基板(4)的第一上铜层(41)连接；

2.根据权利要求1所述的双面散热半桥功率器件，其特征在于：所述上桥IGBT芯片(1)通过第一键合线(111)与第一上铜层(41)连接，从第一上铜层(41)上引出上桥IGBT芯片(1)的上桥信号电极G1。

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【技术特征摘要】

1.一种双面散热半桥功率器件，其特征在于：包括一个或多个并联设置的上桥igbt芯片(1)、一个或多个并联设置的上桥frd芯片(2)、一个或多个并联设置的下桥igbt芯片(7)、一个或多个并联设置的下桥frd芯片(8)；其中，所有上桥igbt芯片(1)的集电极与所有上桥frd芯片(2)的阴极分别通过一第一连接层(31)与第一陶瓷覆铜基板(4)的第一上铜层(41)连接；

2.根据权利要求1所述的双面散热半桥功率器件，其特征在于：所述上桥igbt芯片(1)通过第一键合线(111)与第一上铜层(41)连接，从第一上铜层(41)上引出上桥igbt芯片(1)的上桥信号电极g1。

3.根据权利要求1所述的双面散热半桥功率器件，其特征在于：所述下桥igbt芯片(7)通过第二键合线(112)与第二上铜层(91)连接，从第二上铜层(91)上引出下桥igbt芯片(7)的下桥信号电极g2。

4.根据权利要求1所述的双面散热半桥功率器件，其特征在于：所述第二上铜层(91)上引出下桥信号电极sense e2和发射极电极e2。

5.根据权利要求1所述的双面散热半桥功率器件，其特征在于：所述导流柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蕤，董志意，刘旭光，张大华，童颜，
申请(专利权)人：南京南瑞半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：