本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统，涉及功率半导体器件技术领域，包括在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线...

本发明公开了一种碳化硅二极管器件及其制备方法，包括碳化硅衬底、外延层、结终端区、元胞区、阳极欧姆金属层、肖特基金属层、阳极电极层、钝化保护层、阴极欧姆金属层和阴极电极层；外延层设于碳化硅衬底上，结终端区和元胞区设于外延层的顶部；元胞区包...

本发明公开了一种插拔式端子，从上至下依次包括与电路板配合的引导段和插入段以及脚部焊接段，所述插入段设有梭形环，梭形环内壁设有用于增加其结构强度的加强肋；所述脚部焊接段底部为平面，整个脚部焊接段的重心在插拔式端子中轴线上。本发明还公开了一...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，通过在碳化硅MOSFET器件中设置从下到上宽度依次增大的阶梯层结构，该结构可有效消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性；...

本发明公开了一种增强散热的IGBT模块封装结构，包括若干个IGBT模块，每个IGBT模块包括IGBT基板，IGBT基板内设有微沟槽冷却部，IGBT模块封装结构还包括散热管和水泵，散热管设于IGBT基板下表面的凹槽内，散热管内流通冷却液；...

本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入沟槽型源端和包裹区，通过将栅漏电容转换为栅源和漏源电容串联的形式，在维持SiC MOSFET器件的导通电阻不过多增大的前提下，显著降低...