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本发明公开了一种双面散热半桥功率器件，包括上桥IGBT芯片、上桥FRD芯片、下桥IGBT芯片、下桥FRD芯片；所有上桥IGBT芯片的集电极与所有上桥FRD芯片的阴极分别通过第一连接层与第一上铜层连接；所有下桥IGBT芯片的发射极与所有下桥F...
该专利属于南京南瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南瑞半导体有限公司授权不得商用。

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