版图DFM方法技术

本发明专利技术公开了一种版图DFM方法，包含：步骤1,制作一测试掩膜版，在所述的测试掩膜版上制作测试图形；通过测试掩膜版上的测试图形进行测试晶圆的制作，通过测试晶圆的制作测出所述的测试掩膜版上的测试图形在测试晶圆上形成的实际图形，然后进行外延层的淀积，再对得到的实际图形进行测量得到其与测试掩膜版上对应的原测试图形之间的畸变影响范围A；步骤2，将芯片版图的原主图形边缘产生一个外围的边界；步骤3，将所述的边界边缘外推所述的畸变影响范围A，产生新的禁止区域B，合并到原芯片版图的主图形上；步骤4，在芯片版图的主图形上使用禁止区域B在外延层淀积前的图形层次中进行限制，防止有图形进入到所述的禁止区域B。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计及制造领域，特别是指一种版图dfm方法。

技术介绍

1、在将bcd工艺和逻辑工艺进行整合时，会出现一些传统逻辑工艺中所没有的新问题。主要是bcd工艺尤其高压（＞100v）应用的工艺，会使用超过10μm厚度的外延层作为耐压层，如此厚度的外延层会导致原图形出现很严重的图形畸变，对于外延前形成的图形会造成严重变形。

2、而随着半导体工艺集成度进一步增加，芯片之间的划片槽也变得越来越窄，划片槽图形和主图形之间距离也越来越近。当厚的外延层导致的图形畸变较大时，划片槽中的对准图形畸变会影响到产品内部图形，造成功能失效。如图1所示，芯片主图形之间的区域为划片槽区，划片槽外的区域为芯片主图形区域，包含芯片的主电路结构。其中划片槽内也包含一些辅助类图形，比如用于验证类的，或者是对准类的等等。在淀积厚外延层之后，这些图形在厚外延下会发生畸变，也就是在划片槽与芯片主图形之间的区域形成了图形畸变区，导致划片槽内的图形可能会影响到芯片主图形，在制造工艺中形成的芯片的结构失效。

技术实现思路

1、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种版图DFM方法，其特征在于：包含如下的步骤：

2.如权利要求1所述的版图DFM方法，其特征在于：所述步骤1中的测试图形，包含至少两组尺寸、面积、周长都不同的测试图形。

3.如权利要求1所述的版图DFM方法，其特征在于：利用所述的测试掩膜版，在晶圆制备工艺中进行光刻、刻蚀、注入、退火等工艺，在晶圆衬底上产生图形。

4.如权利要求3所述的版图DFM方法，其特征在于：外延淀积前的图形制备完毕之后，对形成图形的晶圆衬底上进行外延生长。

5.如权利要求1所述的版图DFM方法，其特征在于：所述晶圆上外延淀积前的芯片主图形是形成在硅衬底中，或者是...

【技术特征摘要】

1.一种版图dfm方法，其特征在于：包含如下的步骤：

2.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述步骤1中的测试图形，包含至少两组尺寸、面积、周长都不同的测试图形。

3.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：利用所述的测试掩膜版，在晶圆制备工艺中进行光刻、刻蚀、注入、退火等工艺，在晶圆衬底上产生图形。

4.如权利要求3所述的版图dfm方法，其特征在于：外延淀积前的图形制备完毕之后，对形成图形的晶圆衬底上进行外延生长。

5.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述晶圆上外延淀积前的芯片主图形是形成在硅衬底中，或者是形成在其他能淀积外延层的薄膜中，包含sio2、sin、sic。

6.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述的畸变影响范围a是对面积、形状的几何描述，或者是x*y的矩形，或者是半径为r的圆形，或其他以外延生长前所形成的图形为中心的对称或非对称图形。

7.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述的禁止区域b，对外延淀积后的图形层次或本层图形无限制。

8.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述的外延淀积前的图形层次，指外延前会形成不同材料的边界或在相同材料中形成高度差，使外延生长时图形边界两边生长速率或形成的外延材料不同。

9.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：所述的禁止区域b，其水平方向尺寸为外延生长厚度的2倍以上。

10.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：步骤2中所述的封闭的边界，或者是不封闭，但其边界线的垂直投影方向不得有器件版图存在。

11.如权利要求1所述的版图dfm方法，其特征在于：如发现外延淀积前的图形层次因面积、尺寸过小，在外延生长后完全被外延覆盖，没有材料或边界的差异，则允许进入禁止区域b。

12.如权利要求11所述的版图dfm...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：