【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示技术，特别是涉及一种。
技术介绍
为了有效降低薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,以下简称TFT-LCD)的成本、提高成品率，TFT-LCD阵列基板结构的制造工艺逐步 得到简化。目前，4次构图(4Mask)工艺逐渐得到推广应用。 4次构图(4Mask)工艺是将5次构图(5Mask)工艺中的第二次构图(用于形成半 导体层图形)和第三次构图(用于形成源电极、漏电极和数据线图形)工艺合成在一次构 图工艺中，通过多步刻蚀实现。4次构图(4Mask)工艺过程包括 步骤11、通过第一次构图工艺在基板上形成栅电极和栅线。 步骤12、在步骤11的基板上，连续沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体 层薄膜和源漏金属层薄膜。 步骤13、接着进行第二次构图工艺(以正性光刻胶为例说明)在步骤12形成的 基板上涂敷光刻胶，采用灰色调(Gray-tone)掩模板或半色调(Half-tone)掩模板掩膜，通 过曝光处理使基板上的光刻胶形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域。连续刻蚀 掉完全曝光...
【技术保护点】
一种掩模板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其特征在于，所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。
【技术特征摘要】
一种掩模板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其特征在于，所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。2. 根据权利要求1所述的掩模板，所述半透明部分面积之和占所述部分透光区域总面 积的50% 75%。3. 根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半透明部分的厚度为900 A 1500A 。4. 根据权利要求l所述的掩模板，其特征在于，所述不透光区域包括对应源电极图形的第一不透光区域和对应漏电极图形的第二不 透光区域，所述第一不透光区域和第二不透光区域之间为对应TFT沟道图形的所述部分透 光区域；或者，所述完全透光区域包括对应源电极图形的第一透光区域和对应漏电极图形的第二透 光区域，所述第一透光区域和第二透光区域之间为对应TFT沟道图形的所述部分透光区 域。5. 根据权利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述部分透光区域包括n个半透明部分 和n+l个透明部分，所述n个半透明部分和n+l个透明部分沿所述第二不透光区域或所述 第二透光区域的对称线对称交替排列；n为大于或等于1的整数。6. 根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述半透明部分的宽度为900nm 1500nm，所述透明部分的宽度为200nm 1200nm。7. 根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述半透明部分的宽度为1000nm 1200nm，所述透明部分的宽度为250nm 900nm。8. 根据权利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述第一不透光区域为U形不透光区 域，所述第二不透光区域为T形不透光区域，所述半透明部分为一字形半透明部分，相邻所 述一字形半透明部分之间为透明部分；在所述U形不透光区域的二臂与所述T形不透光区 域之间的部分透光区域，以所述T形不透光区域对称线对称排列有多个所述一字形半透明 部分；在所述U形不透光区...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝金刚，彭志龙，朴春培，王威，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。