Ｐ型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管制造技术

一种Ｐ型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：Ｎ型衬底，在Ｎ型衬底上设有超结结构及Ｎ型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的Ｐ型区和Ｎ型区构成，在Ｎ型体区上方设有Ｐ型源区、Ｎ型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有Ｐ型漏区，在超结结构上方，且位于Ｐ型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在Ｐ型源区、Ｎ型体接触区、Ｐ型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，Ｐ型源区、Ｐ型漏区、Ｎ型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在Ｎ型衬底内设有Ｐ型缓冲区，Ｐ型缓冲区位于超结结构中Ｎ型区的下方，且与超结结构中Ｎ型区底部相接。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率半导体器件领域，是关于一种适用于高压应用的超结横向双 扩散半导体金属氧化物晶体管的结构。
技术介绍
随着节能需求日益增强，功率集成电路产品的性能越来越受到关注，其中电路的 功率损耗无疑是最为主要的性能指标之一。决定功率集成电路功率损耗大小的因素除了功 率集成电路本身电路结构、设计之外，电路所采用的制造工艺，所采用的功率器件性能便是 功率集成电路功率损耗大小的关键。目前，依据功率集成电路的制造工艺主要分为基于体硅、外延和绝缘体上硅 (SOI)。其中，体硅工艺由于硅表面层存在较多的缺陷，所以在早期大尺寸集成电路主要采 用这种工艺；绝缘体上硅(SOI)工艺由于存在绝缘层将表层硅和衬底硅层隔离，加之绝缘 层一般为氧化硅，这样采用该工艺的器件的纵向击穿电压较高，同时对衬底电流有很好的 抑制，有利于降低器件的功耗，然而由于氧化硅层的散热能力是硅层的1/100，导致功率集 成电路的散热问题更加严重，并且绝缘体上硅工艺的圆片成本较高；外延工艺很好地解决 了体硅工艺存在的表面缺陷问题，同时具有较好的散热性能，所以基于外延工艺的功率集 成电路前景仍然广阔。功率集成电路中集成的功率器件主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｐ型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：Ｎ型衬底（１），在Ｎ型衬底（１）上设有超结结构及Ｎ型体区（２），超结结构由连接源漏区方向相间分布的Ｐ型区（１１）和Ｎ型区（１２）构成，在Ｎ型体区（２）上方设有Ｐ型源区（４）、Ｎ型体接触区（５）及栅氧化层（３），在超结结构的上方设有Ｐ型漏区（１４），在超结结构上方，且位于Ｐ型漏区（１４）以外的区域设有第一型场氧化层（１０），在栅氧化层（３）上方设有多晶硅栅（６），在Ｐ型源区（４）、Ｎ型体接触区（５）、Ｐ型漏区（１４）、多晶硅栅（６）和第一型场氧化层（１０）上方设有第二型场氧化层（８），Ｐ型源区（４）、Ｐ型漏区（１４）、Ｎ型体接触区（５）及多晶硅...

【技术特征摘要】
一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有超结结构及N型体区(2)，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区(11)和N型区(12)构成，在N型体区(2)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(3)，在超结结构的上方设有P型漏区(14)，在超结结构上方，且位于P型漏区(14)以外的区域设有第一型场氧化层(10)，在栅氧化层(3)上方设有多晶硅栅(6)，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、P型漏区(14)...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，孙大鹰，徐申，钱钦松，陈越政，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]