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一种Ｐ型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：Ｎ型衬底，在Ｎ型衬底上设有超结结构及Ｎ型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的Ｐ型区和Ｎ型区构成，在Ｎ型体区上方设有Ｐ型源区、Ｎ型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有Ｐ型漏区，在超结...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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