本技术公开了一种晶体生长坩埚，至少包括：坩埚盖；混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及多孔隔板，设置在所述坩埚盖和所述混合腔之间。通过本技术提供的晶体生长坩埚，能够改善原料内部受热不均的问题，提高晶体质量。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长，具体涉及一种晶体生长坩埚。
技术介绍
1、在使用物理气相传输法生长晶体的过程中，原料之间的温度梯度、受热温度和原料孔隙率等参数，严重影响着晶体质量。在大尺寸晶体的生长过程中，将大量原料放置在大尺寸的坩埚中加热，坩埚中的原料受热不均，热量从坩埚壁面向坩埚内部传递的阻力较大，靠近坩埚壁面的原料外缘区的温度，高于原料中心区的温度，从而导致坩埚内部的原料蒸发不均匀和原料外缘区碳化，进而影响晶体的质量。因此，目前用于晶体生长的坩埚，存在坩埚内部的原料温度受热不均匀等问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种晶体生长坩埚，能够改善原料内部受热不均的问题，使坩埚内部的原料均匀蒸发，提高原料利用率和长晶速度，生长大尺寸或高厚度的晶体。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
3、本技术提供一种晶体生长坩埚，至少包括：
4、坩埚盖；
5、混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；
6、至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及
7、多孔隔板，设置在所述坩埚盖和所述混合腔之间。
8、在本技术一实施例中，所述原料装填部为两个，且两个所述原料装填部以所述混合腔的轴线为中心，对称分布在所述混合腔的同一侧。
9、在本技术一实施例中，所述坩埚还包括空腔，所述空腔设置在所述原料装填部内。
>10、在本技术一实施例中，每个所述原料装填部内的所述空腔为至少两个，且至少两个所述空腔以所述原料装填部的轴线为中心，对称分布在同一所述原料装填部内。11、在本技术一实施例中，在垂直于所述原料装填部的轴线的方向上，所述空腔的截面形状为圆形、矩形或花瓣形。
12、在本技术一实施例中，所述坩埚还包括连接结构，所述连接结构设置在所述混合腔和所述原料装填部之间。
13、在本技术一实施例中，所述连接结构为螺纹连接或卯榫连接。
14、在本技术一实施例中，所述多孔隔板与所述混合腔的外壁活动连接。
15、在本技术一实施例中，所述多孔隔板的孔径为20-70μm。
16、在本技术一实施例中，所述坩埚还包括籽晶托，所述籽晶托设置在所述坩埚盖靠近所述多孔隔板的一侧上。
17、综上所述，本技术提出一种晶体生长坩埚，通过将坩埚内部容纳原料的区域分解成多个原料装填部和多个空腔，能够改善原料内部受热不均的问题，使坩埚内部的原料能够均匀蒸发，从而提高原料利用率和长晶速度，能够生长出大尺寸或高厚度的晶体。
18、当然，实施本技术的任一方式并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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【技术保护点】
1.一种晶体生长坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述原料装填部为两个，且两个所述原料装填部以所述混合腔的轴线为中心，对称分布在所述混合腔的同一侧。
3.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括空腔，所述空腔设置在所述原料装填部内。
4.根据权利要求3所述的晶体生长坩埚，其特征在于，每个所述原料装填部内的所述空腔为至少两个，且至少两个所述空腔以所述原料装填部的轴线为中心，对称分布在同一所述原料装填部内。
5.根据权利要求3所述的晶体生长坩埚，其特征在于，在垂直于所述原料装填部的轴线的方向上，所述空腔的截面形状为圆形、矩形或花瓣形。
6.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括连接结构，所述连接结构设置在所述混合腔和所述原料装填部之间。
7.根据权利要求6所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述连接结构为螺纹连接或卯榫连接。
8.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述多孔隔板与所述混合腔的内壁活动连接。p>
9.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述多孔隔板的孔径为20-70μm。
10.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括籽晶托，所述籽晶托设置在所述坩埚盖靠近所述多孔隔板的一侧上。
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【技术特征摘要】
1.一种晶体生长坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述原料装填部为两个，且两个所述原料装填部以所述混合腔的轴线为中心，对称分布在所述混合腔的同一侧。
3.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括空腔，所述空腔设置在所述原料装填部内。
4.根据权利要求3所述的晶体生长坩埚，其特征在于，每个所述原料装填部内的所述空腔为至少两个，且至少两个所述空腔以所述原料装填部的轴线为中心，对称分布在同一所述原料装填部内。
5.根据权利要求3所述的晶体生长坩埚，其特征在于，在垂直于所述原料装填部的轴线的方向上，所述空...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁晓亮，马远，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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