【技术实现步骤摘要】
本技术涉及人工晶体生长设备领域,具体涉及一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置。
技术介绍
1、二氧化碲(teo2)晶体是一种声光性能优异,在脉冲光纤激光器调制和激光雷达方面有着广泛应用的声光材料。一般二氧化碲晶体的工业化生长方法主要有提拉法和坩埚下降法。在坩埚下降法生长设备中,主要是通过设备中段梯度区的温度梯度作为驱动力进行晶体生长,由于采用两根长直硅钼棒进行加热,形成长晶所需的高温区和梯度区,温场对称性不高,炉体不同位置的等温线和固液界面形状差别较大,同时发热体容易老化和变形,温场重复性和一致性会受到影响。尤其是具有多个坩埚的晶体生长炉,中心加热区域与边沿区域的温场差异大。公开号为cn117344371a的专利申请公开了一种多坩埚下降法生长晶体的装置,通过设置多个炉体,每个炉体配套一坩埚,以及特殊结构的感应线圈来降低多个坩埚间的温差。这种改进方式增加制造成本且不利于后期维护。
2、在用坩埚下降法生长晶体的过程中,固液界面的形状对于晶体生长质量的好坏影响很大,一般人们追求的理想状况应该是凸的固液界面,至少应该是平的界
...【技术保护点】
1.一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置,包含炉体与升降机构,升降机构设置在炉体的底部;炉体包括外壁与内腔,外壁采用保温材料制成,内腔设有隔热块将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区,高温区为隔热块上方空腔,低温区为隔热块下方与炉口之间空腔部分,其特征在于,所述隔热块为T型隔热块,所述T型隔热块包括第一横块与第二竖直块;高温区设有若干U型加热棒;所述炉体内设有引下管,所述引下管与所述升降机构连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一横块与第二竖直块的宽度比例为2:1~3:1。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述
...【技术特征摘要】
1.一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置,包含炉体与升降机构,升降机构设置在炉体的底部;炉体包括外壁与内腔,外壁采用保温材料制成,内腔设有隔热块将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区,高温区为隔热块上方空腔,低温区为隔热块下方与炉口之间空腔部分,其特征在于,所述隔热块为t型隔热块,所述t型隔热块包括第一横块与第二竖直块;高温区设有若干u型加热棒;所述炉体内设有引下管,所述引下管与所述升降机构连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一横块与第二竖直块的宽度比例为2:1~3:1。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一横块与第二竖直块的高度比例为1:1~1:2。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷云,李来超,张榕贵,高浩然,陈腾波,柯剑斌,
申请(专利权)人:森一量子科技厦门有限公司,
类型:新型
国别省市:
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