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本技术公开了一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置,内腔设有多个具有一定厚度的T型隔热块,T型隔热块具有隔热作用,将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区;高温区设有若干U型加热棒,所述T型隔热块是上宽下窄定向减薄的结构;炉体底部还设有升...该专利属于森一量子科技(厦门)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过森一量子科技(厦门)有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置,内腔设有多个具有一定厚度的T型隔热块,T型隔热块具有隔热作用,将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区;高温区设有若干U型加热棒,所述T型隔热块是上宽下窄定向减薄的结构;炉体底部还设有升...