【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长，具体涉及一种碳化硅粉料的合成坩埚。
技术介绍
1、碳化硅单晶材料作为第三代半导体材料之一，具有耐高压、耐高频、禁带宽度大和热导率高等优势，因此被广泛用作信息、能源、交通和国防等产业中的新材料。
2、作为碳化硅单晶生长的原料，碳化硅粉料的纯度、粒度和晶型等参数严重影响碳化硅晶体的质量。在碳化硅粉料合成过程中，富硅组分会严重腐蚀石墨坩埚，特别是坩埚主体和坩埚盖之间的螺纹连接结构，从而导致石墨坩埚的使用寿命缩短，增加晶体的生长成本。而且，在碳化硅粉料的合成过程中，原料会不可避免地结晶，结晶粘结在坩埚内部上，影响取料的同时，还会导致坩埚被污染或损坏。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种碳化硅粉料的合成坩埚，能够减少碳化硅粉料合成过程对坩埚的腐蚀，延长坩埚的使用寿命，减少合成成本。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
3、本技术提供一种碳化硅粉料的合成坩埚，至少包括：
4、第一盖体，所述第一盖体的边缘上具有均匀分布的第一销孔；
5、第二盖体，所述第一盖体和所述第二盖体相对设置，且所述第二盖体的边缘上具有均匀分布的第二销孔；
6、坩埚主体，设置在所述第一盖体和所述第二盖体之间，且所述坩埚主体的内部为空心；
7、第一匹配孔，设置在所述坩埚主体靠近所述第一盖体一侧的边缘上；
8、第二匹配孔，设置在所述坩埚主体靠近所述第二盖体一侧的边缘上；p>
9、第一连接石墨件，连接所述坩埚主体和所述第一盖体；以及
10、第二连接石墨件，连接所述坩埚和所述第二盖体。
11、在本技术一实施例中，所述第一销孔的个数为至少两个。
12、在本技术一实施例中，所述第二销孔的个数为至少两个。
13、在本技术一实施例中，所述第一销孔和所述第二销孔的形状分别为矩形、三角形、圆形或锥形。
14、在本技术一实施例中，所述第一连接石墨件依次贯穿所述第一匹配孔和所述第一销孔，固定所述坩埚主体和所述第一盖体。
15、在本技术一实施例中，所述第二连接石墨件依次贯穿所述第二匹配孔和所述第二销孔，固定所述坩埚主体和所述第二盖体。
16、在本技术一实施例中，所述合成坩埚包括外螺纹，所述外螺纹设置在所述第一连接石墨件和所述第二连接石墨件的中心。
17、在本技术一实施例中，所述合成坩埚还包括螺丝，所述螺丝内设置螺纹，所述螺纹的尺寸和所述外螺纹的尺寸对应。
18、在本技术一实施例中，所述合成坩埚包括内螺纹，所述内螺纹设置在所述第一销孔、所述第一匹配孔、所述第二销孔和所述第二匹配孔的中心。
19、在本技术一实施例中，所述合成坩埚还包括涂层，所述涂层设置在所述第一销孔、所述第二销孔、所述第一匹配孔、所述第二匹配孔、所述第一连接石墨件和所述第二连接石墨件上。
20、综上所述，本技术提出一种碳化硅粉料的合成坩埚，将坩埚主体和盖体之间通过销连接，能够减少碳化硅粉料合成过程对坩埚的腐蚀，减少因原料结晶粘结在坩埚上导致坩埚污染或损坏的现象，从而延长坩埚的使用寿命。而且，本技术提供的坩埚结构简单，易于加工，而且具有分体式结构。当坩埚主体或盖体损坏时，可以更换对应的局部部件，避免更换整个坩埚，从而减少碳化硅粉料的合成成本。
21、当然，实施本技术的任一方式并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种碳化硅粉料的合成坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔的个数为至少两个。
3.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二销孔的个数为至少两个。
4.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔和所述第二销孔的形状分别为矩形、三角形、圆形或锥形。
5.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一连接石墨件依次贯穿所述第一匹配孔和所述第一销孔，固定所述坩埚主体和所述第一盖体。
6.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二连接石墨件依次贯穿所述第二匹配孔和所述第二销孔，固定所述坩埚主体和所述第二盖体。
7.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述坩埚包括外螺纹，所述外螺纹设置在所述第一连接石墨件和所述第二连接石墨件的中心。
8.根据权利要求7所述的合成坩埚，其特征在于，所述合成坩埚还包括螺丝，所述螺丝内设置螺纹，所述螺纹的尺寸和所述外螺纹的尺寸对应。
9.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于
10.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述合成坩埚还包括涂层，所述涂层设置在所述第一销孔、所述第二销孔、所述第一匹配孔、所述第二匹配孔、所述第一连接石墨件和所述第二连接石墨件上。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料的合成坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔的个数为至少两个。
3.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二销孔的个数为至少两个。
4.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔和所述第二销孔的形状分别为矩形、三角形、圆形或锥形。
5.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一连接石墨件依次贯穿所述第一匹配孔和所述第一销孔，固定所述坩埚主体和所述第一盖体。
6.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二连接石墨件依次贯穿所述第二匹配孔和所述第二销孔，固定所述坩埚主体和所述第二盖体。...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈豆，程丹妃，李坚，马远，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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