【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长，具体涉及一种碳化硅粉料的合成坩埚。
技术介绍
1、碳化硅单晶材料作为第三代半导体材料之一，具有耐高压、耐高频、禁带宽度大和热导率高等优势，因此被广泛用作信息、能源、交通和国防等产业中的新材料。
2、作为碳化硅单晶生长的原料，碳化硅粉料的纯度、粒度和晶型等参数严重影响碳化硅晶体的质量。在碳化硅粉料合成过程中，富硅组分会严重腐蚀石墨坩埚，特别是坩埚主体和坩埚盖之间的螺纹连接结构，从而导致石墨坩埚的使用寿命缩短，增加晶体的生长成本。而且，在碳化硅粉料的合成过程中，原料会不可避免地结晶，结晶粘结在坩埚内部上，影响取料的同时，还会导致坩埚被污染或损坏。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种碳化硅粉料的合成坩埚，能够减少碳化硅粉料合成过程对坩埚的腐蚀，延长坩埚的使用寿命，减少合成成本。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
3、本技术提供一种碳化硅粉料的合成坩埚，至少包括：
4、第一盖体，所述第一...
【技术保护点】
1.一种碳化硅粉料的合成坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔的个数为至少两个。
3.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二销孔的个数为至少两个。
4.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔和所述第二销孔的形状分别为矩形、三角形、圆形或锥形。
5.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一连接石墨件依次贯穿所述第一匹配孔和所述第一销孔，固定所述坩埚主体和所述第一盖体。
6.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二连...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料的合成坩埚，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔的个数为至少两个。
3.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二销孔的个数为至少两个。
4.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一销孔和所述第二销孔的形状分别为矩形、三角形、圆形或锥形。
5.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第一连接石墨件依次贯穿所述第一匹配孔和所述第一销孔，固定所述坩埚主体和所述第一盖体。
6.根据权利要求1所述的合成坩埚，其特征在于，所述第二连接石墨件依次贯穿所述第二匹配孔和所述第二销孔，固定所述坩埚主体和所述第二盖体。...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈豆，程丹妃，李坚，马远，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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