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本技术公开了一种碳化硅粉料的合成坩埚，至少包括：第一盖体，所述第一盖体的边缘上具有均匀分布的第一销孔；第二盖体，所述第一盖体和所述第二盖体相对设置，且所述第二盖体的边缘上具有均匀分布的第二销孔；坩埚主体，设置在所述第一盖体和所述第二盖体之间...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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