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本技术公开了一种晶体生长坩埚，至少包括：坩埚盖；混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及多孔隔板，设置在所述坩埚盖和所述混合腔之间。...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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