【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，更具体地，本专利技术涉及具有导线图案的半导体装置以及形成这些装置的相关方法。
技术介绍
高度集成的半导体装置可包含具有各种宽度的图案，这些图案包括节距小于光刻工艺分辨率极限的极小图案以及具有可以使用光刻工艺实现的相对大的节距的图案。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，提供了包括多条导线的半导体装置，每条导线具有第一线部分和第二线部分，第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分沿第二方向从第一线部分的端部延伸，并且第一方向不同于第二方向。这些半导体装置还包括多个接触垫和多条虚设导线，每个接触垫直接连接到多条导线中相应一条的第二线部分，每条虚设导线包括沿第二方向从多个接触垫中的相应一个延伸的第一虚设部分。 多条导线可以包括相邻的第一和第二导线。接触垫可以包括直接连接到第一导线的第一接触垫和直接连接到第二导线的第二接触垫。第一接触垫可以直接连接到第一虚设导线，而第二接触垫可以直接连接到第二虚设导线。第一虚设导线和第二虚设导线可以具有不同的形状。此外，第一和第二虚设导线的至少之一可以包括沿第三方向从第一虚设部分的一端延伸的第二虚设部分，其中...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：多条导线，每条导线包括第一线部分和第二线部分，其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分从第一线部分的端部沿第二方向延伸，并且第一方向不同于第二方向；多个接触垫，每个接触垫直接连接到多条导线中的相应一条的第二线部分；以及多条虚设导线，每条虚设导线包括从多个接触垫的相应一个沿第二方向延伸的第一虚设部分。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴荣周，闵在豪，金明哲，金东灿，沈载煌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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