半导体装置的制造方法、半导体装置以及打线装置制造方法及图纸

具有将第1接合点与第2接合点连接的线弧的半导体装置的制造方法，包括：将金属线42抽出且使接合工具40上升并自第2接合点向第1接合点侧的方向移动，在自接合工具40的前端延伸出的金属线42中的第2接合点附近，形成弯曲的被切断部92；使接合工具40下降，并使接合工具40的前端压抵于金属线且使接合工具40移动至金属线的被切断部92；使接合工具40朝第2接合点向铅垂方向下降而加压，由此使金属线的被切断部92变薄；将金属线42抽出且使接合工具40上升；使接合工具40沿远离第1接合点及第2接合点的方向且为将第1接合点与第2接合点连结的金属线方向移动，将金属线在被切断部92切断，由此在接合工具40的前端形成线尾43。由此简便且有效率地将线尾的长度调整为一定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法、半导体装置以及打线(wire bonding)装置。
技术介绍
当制造半导体装置时，例如广泛采用打线，利用金属线(wire)将半导体芯片(chip)的电极与基板的电极电性连接。作为打线方法的一实施方式，已知有楔形接合(wedge bonding)方式，不在金属线前端形成球(ball)而将金属线连接于接合对象。根据楔形接合方式，利用金属线将第1接合点与第2接合点之间连接之后，将自接合工具(bonding tool)的前端延伸出的金属线的一部分切断，在接合工具的前端形成用于下次打线的线尾(wire tail)，且不进行球形成步骤而将所述线尾直接接合于下次第1接合点。然而，当将第1接合点设为半导体芯片的电极时，有如下情况：接合于第1接合点之后的线尾的前端会接触于半导体芯片上的邻接的电极或钝化膜(passivation film)，由此会导致半导体芯片损伤或不良。为了解决此种问题，例如专利文献1所记载那样有如下方法，即，准备用于将线尾的前端向上方弯曲的构件(模具)，在进行向第1接合点的接合之前使接合工具移动至所述构件上而整理线尾的形状，但需要在每次进行打线时均使接合工具移动，从而难以说得上是简便且有效率的制造方法。或者，鉴于此种问题仅可产生在第1接合点，而也考虑通过使接合顺序颠倒的逆接合来解决，但接合顺序会受到制约，无法说得上是打线方法的设计自由度高。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2003-318216号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题因此，本专利技术的目的在于提供一种可解决所述问题的半导体装置的制造方法、半导体装置以及打线装置。解决问题的技术手段本专利技术的一实施方式的半导体装置的制造方法是具有将第1接合点与第2接合点连接的线弧(wire loop)的半导体装置的制造方法，且包括：第1接合步骤，将插通接合工具的金属线接合于第1接合点；线弧形成步骤，一面将金属线抽出，一面使金属线形成线弧；第2接合步骤，将金属线接合于第2接合点；被切断部形成步骤，一面将金属线抽出，一面使接合工具上升并且自第2接合点向第1接合点侧的方向移动，而在自接合工具的前端延伸出的金属线中的第2接合点附近，形成弯曲的被切断部；接合工具移动步骤，使接合工具下降，并且一面使接合工具的前端压抵于金属线，一面使接合工具移动至金属线的被切断部；薄壁部形成步骤，使接合工具朝第2接合点向铅垂方向下降而进行加压，由此使金属线的被切断部变薄；接合工具上升步骤，一面将金属线抽出，一面使接合工具上升；以及线尾形成步骤，使接合工具沿远离第1接合点及第2接合点的方向且为将第1接合点与第2接合点连结的金属线方向移动，而将金属线在被切断部切断，由此在接合工具的前端形成线尾。根据所述构成，在自接合工具的前端延伸出的金属线中的第2接合点附近，形成金属线成为容易被切断的状态的被切断部，而可在所述被切断部将金属线切断，因此，可简便且有效率地将线尾的长度调整为一定。由此例如可使线尾的长度减小，而例如在下次打线的第1接合点处的接合中，可将金属线的前端部切实地配置于电极的区域内，从而可实现半导体装置的窄间距化及高可靠性化。在所述半导体装置的制造方法中，也可在被切断部形成步骤中，使接合工具上升至第1高度，在接合工具移动步骤中，使接合工具下降至较第1高度更低的第2高度，在所述第2高度，一面使接合工具的前端压抵于金属线，一面使接合工具移动至金属线的被切断部，在薄壁部形成步骤中，对接合工具进行加压直至较第2高度更低的第3高度。在所述半导体装置的制造方法中，也可在接合工具移动步骤中，使接合工具的前端压抵于金属线中的较第2接合点更靠第1接合点侧附近。在所述半导体装置的制造方法中，也可在薄壁部形成步骤中，使接合工具一面维持于第3高度一面沿金属线方向移动。本专利技术的一实施方式的半导体装置包括：作为第1接合点的第1电极，接合有线尾；作为第2接合点的第2电极，接合有金属线；以及线弧，呈规定形状延伸出以将第1电极与第2电极之间连接；且线弧具有与第1电极的第1接合部，线弧中的第1接合部侧的第1前端部配置于第1电极的俯视时的区域内，且以与第1接合部一体地构成较金属线直径更薄的薄壁部的方式而形成。根据所述构成，可避免金属线的前端部自第1接合点伸出而接触于其他电极等，因此，可避免或抑制半导体装置损伤或者不良。因此，可提供对应于窄间距(例如锯齿状的衬垫(pad)排列)且可靠性高的半导体装置。在所述半导体装置中，也可在线弧中的自第1电极立起的部分，形成有凹部。在所述半导体装置中，也可第1电极设于半导体芯片，第1电极的区域为自形成于半导体芯片上的钝化膜露出的区域，第2电极设于搭载有半导体芯片的基板。本专利技术的一实施方式的打线装置是制造具有利用金属线将第1接合点与第2接合点连接的线弧的半导体装置的打线装置，且包括：接合臂，能够在接合区域内的XY平面以及Z方向自如地移动；超声波焊头，安装于接合臂的前端；接合工具，安装于超声波焊头的一端，将插通接合工具的内部的金属线按压至作为接合对象的第1接合点与第2接合点；以及控制部，控制接合工具的动作；且控制部构成为能够执行以下步骤：一面将金属线抽出，一面使接合工具上升并且自第2接合点向第1接合点侧的方向移动，而在自接合工具的前端延伸出的金属线中的第2接合点附近，形成弯曲而成的被切断部的步骤；使接合工具下降，并且一面使接合工具的前端压抵于金属线，一面使接合工具移动至金属线的被切断部的步骤；对接合工具进行加压，由此使金属线的被切断部变薄的步骤；一面将金属线抽出，一面使接合工具上升的步骤；以及使接合工具向远离第2接合点的方向移动，而将金属线在被切断部切断，由此在接合工具的前端形成线尾的步骤。根据所述构成，在自接合工具的前端延伸出的金属线中的第2接合点附近，形成金属线成为容易被切断的状态的被切断部，而可在所述被切断部将金属线切断，因此，可简便且有效率地将线尾的长度调整为一定。由此例如可使线尾的长度减小，而例如在下次打线的第1接合点处的接合中，可将金属线的前端部切实地配置于电极的区域内，从而可实现半导体装置的窄间距化及高可靠性化。专利技术的效果根据本专利技术，可简便且有效率地将打线中的线尾的长度调整为一定。由此可提供对应于窄间距化且可靠性高的半导体装置的制造方法、半导体装置以及打线装置。附图说明图1是表示本实施方式的打线装置的图。图2(A)及图2(B)是本实施方式的打线装置的接合臂(bonding arm)的平面的俯视图及仰视图。图3是本实施方式的半导体装置的制造方法的流程图(flow chart)。图4(A)～图4(D)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的图。图5(A)～图5(C)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的图。图6是与本实施方式的半导体装置的制造方法相关的时序图(timing chart)。图7是用于对使用本实施方式的半导体装置的制造方法所制造的半导体装置进行说明的图。图8(A)及图8(B)是用于对使用本实施方式的半导体装置的制造方法所制造的半导体装置进行说明的图，图8(A)是应用本专利技术的一例，图8(B)是比较例。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，相同或类似的构成要素以相同或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有将第1接合点与第2接合点连接的线弧，所述半导体装置的制造方法包括：第1接合步骤，将插通接合工具的金属线接合于所述第1接合点；线弧形成步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述金属线形成线弧；第2接合步骤，将所述金属线接合于第2接合点；被切断部形成步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述接合工具上升并且自所述第2接合点向所述第1接合点侧的方向移动，而在自所述接合工具的前端延伸出的金属线中的所述第2接合点附近，形成弯曲的被切断部；接合工具移动步骤，使所述接合工具下降，并且一面使所述接合工具的前端压抵于所述金属线，一面使所述接合工具移动至所述金属线的被切断部；薄壁部形成步骤，使所述接合工具朝所述第2接合点向铅垂方向下降而进行加压，由此使所述金属线的被切断部变薄；接合工具上升步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述接合工具上升；以及线尾形成步骤，使所述接合工具沿远离所述第1接合点及所述第2接合点的方向且为将所述第1接合点与所述第2接合点连结的金属线方向移动，而将所述金属线在被切断部切断，由此在所述接合工具的前端形成线尾。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.21 JP 2014-0322171.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有将第1接合点与第2接合点连接的线弧，所述半导体装置的制造方法包括：第1接合步骤，将插通接合工具的金属线接合于所述第1接合点；线弧形成步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述金属线形成线弧；第2接合步骤，将所述金属线接合于第2接合点；被切断部形成步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述接合工具上升并且自所述第2接合点向所述第1接合点侧的方向移动，而在自所述接合工具的前端延伸出的金属线中的所述第2接合点附近，形成弯曲的被切断部；接合工具移动步骤，使所述接合工具下降，并且一面使所述接合工具的前端压抵于所述金属线，一面使所述接合工具移动至所述金属线的被切断部；薄壁部形成步骤，使所述接合工具朝所述第2接合点向铅垂方向下降而进行加压，由此使所述金属线的被切断部变薄；接合工具上升步骤，一面将所述金属线抽出，一面使所述接合工具上升；以及线尾形成步骤，使所述接合工具沿远离所述第1接合点及所述第2接合点的方向且为将所述第1接合点与所述第2接合点连结的金属线方向移动，而将所述金属线在被切断部切断，由此在所述接合工具的前端形成线尾。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在所述被切断部形成步骤中，使所述接合工具上升至第1高度，在所述接合工具移动步骤中，使所述接合工具下降至较所述第1高度更低的第2高度，在所述第2高度，一面使所述接合工具的前端压抵于所述金属线，一面使所述接合工具移动至所述金属线的被切断部，在所述薄壁部形成步骤中，对所述接合工具进行加压直至较所述第2高度更低的第3高度。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在所述接合工具移动步骤中，使所述接合工具的前端压抵于所述金属线中的较所述第2接合点更靠所述第1接合点侧附近。4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：关根直希，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：日本;JP