等离子体蚀刻的控制方法技术

本发明专利技术中公开了一种等离子体蚀刻的控制方法，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，逐步增大作用于等离子体的偏转功率，并逐步减小所使用的氧气流量。通过使用上述的方法，可以在保持较大的蚀刻速度的同时，尽可能地保护ＰＲ层，使得蚀刻后的ＰＲ层仍保持较厚的厚度；同时，还可以在进行过蚀刻时防止阻挡层被刻穿。另外，通过使用上述的方法，还可使得蚀刻后所形成的通孔具有比较垂直的外部轮廓，而且各个通孔之间也具有较好的均匀性，从而可提高蚀刻后所形成的半导体元件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件的制造技术，尤其是指一种。
技术介绍
在集成电路(IC)制造过程中，随着集成电路的集成度的不断增加，半导体元件的面积逐渐縮小，集成电路的设计线宽也越来越小，因此可以在半导体元件上形成极细微尺寸的电路结构。在现有技术中，一般是通过蚀刻(Etching)技术将微影(Micro-lithogr即hy)后所产生的光阻图案转印到光阻(PR， PhotoResistor)层下的材料上，从而形成集成电路的复杂架构。 在半导体元件的后段工艺(BE0L， Back-End-0f-Line)中，通常需要在基底材料上进行通孔(Via)的蚀刻。图1为现有技术中的蚀刻工艺的示意图。如图1所示，在现有技术的蚀刻工艺中，待蚀刻层103之上一般具有一抗反射层102和一光阻层101，其中，光阻层101用来作为蚀刻遮罩(Etching Mask)，抗反射层102用来减少曝光的反射；同时，待蚀刻层103之下一般还具有一阻挡层104作为刻蚀停止层；在进行蚀刻之后，将形成如图l所示的通孔105。在实际应用环境下蚀刻不同的通孔时，用于蚀刻的蚀刻机台在高度上可能会出现一定程度的上下浮动(一般为10%左右本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻的控制方法，其特征在于，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，作用于等离子体的偏转功率从初始值逐步增大到最终值，所使用的氧气流量从初始值逐步减小到最终值。

【技术特征摘要】
一种等离子体蚀刻的控制方法，其特征在于，该方法包括在等离子体蚀刻工艺中，作用于等离子体的偏转功率从初始值逐步增大到最终值，所使用的氧气流量从初始值逐步减小到最终值。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于，所述作用于等离子体的偏转功率的初始值小于或等于预先设置的第一功率阈值；所述氧气流量的初始值大于或等于预先设置的第一流量阈值。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一功率阈值和第一流量阈值分别为根据实际蚀刻条件所确定的固定值。4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述作用于等离子体的偏转功率的初始值为1500瓦，所述氧气流量的初始值为10标准毫...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]