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本发明中公开了一种等离子体蚀刻的控制方法，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，逐步增大作用于等离子体的偏转功率，并逐步减小所使用的氧气流量。通过使用上述的方法，可以在保持较大的蚀刻速度的同时，尽可能地保护ＰＲ层，使得蚀刻后的ＰＲ层仍保持较厚的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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