蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及蚀刻液，提供能够抑制对镍以外的金属、尤其是铜的侵蚀的镍的蚀刻液。该蚀刻液是含有硝酸或硫酸、过氧化氢以及水的镍的蚀刻液，其特征在于，含有聚合物，该聚合物具有选自下述式（Ⅰ）、下述式（Ⅱ）及下述式（Ⅲ）中的至少一个重复单元，其中，Ｒ↓［１］～Ｒ↓［５］相同或者不同，是氢、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、巯基、磺基、羟基、羰基、羧基、硝基、烷基、环烷基、芳基或苄基，而且所述重复单元内所含的胺是季铵盐形式或者不是季铵盐形式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有硝酸或硫酸、过氧化氢、以及水的镍的蚀刻液。
技术介绍
在制造含有TAB( Tape Automated Bonding )用柔性基板、BGA( Ball Grid Array)封装用基板的印刷电路板的电极、布线、或者半导体制品 的电极等的过程中，具有通过电镀、化学镀形成镍皮膜的工序。此时， 在不需要的部分形成的镍皮膜通过蚀刻液除去。由于前述电极、布线含有多种金属，因此在除去镍皮膜时，要求不 侵蚀除了镍之外的金属。例如，在利用半加成法制造印刷电路板的过程 中，在玻璃布环氧树脂含浸板、聚酰亚胺膜等的绝缘基材上，进行化学 镀镍、蒸镀镍之后，用抗蚀剂形成电路的反图案，在未被抗蚀剂覆盖的 镍上通过电镀铜形成铜电路，然后除去抗蚀剂，之后对露出的镍进行蚀 刻。对于此时所使用的镍蚀刻液，要求在不侵蚀铜电路的情况下蚀刻镍。作为不侵蚀铜而除去镍的蚀刻液，以往一直使用含有硝酸等的酸以 及过氧化氲的蚀刻液。在这些硝酸-过氧化氢系的镍的蚀刻液中，通常 添加有用于抑制对铜的4曼蚀的添加剂。(例如，参照专利文献l-8)。专利文献l:特公昭62-11070号公报专利文献2:特爿>昭62-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，是含有硝酸或硫酸、过氧化氢以及水的镍的蚀刻液，其特征在于，含有聚合物，该聚合物具有选自下述式（Ⅰ）、下述式（Ⅱ）及下述式（Ⅲ）中的至少一个重复单元，　＊＊＊　其中，Ｒ↓［１］～Ｒ↓［５］相同或者不同，是氢、氨基、亚氨 基、氰基、偶氮基、巯基、磺基、羟基、羰基、羧基、硝基、烷基、环烷基、芳基或苄基，而且所述重复单元内所含的胺是季铵盐形式或者不是季铵盐形式。

【技术特征摘要】
JP 2008-1-11 2008-004707;JP 2008-10-9 2008-2629451. 一种蚀刻液，是含有硝酸或硫酸、过氧化氢以及水的镍的蚀刻液，其特征在于，含有聚合物，该聚合物具有选自下述式(I)、下述式(II)及下述式(III)中的至少一个重复单元，其中，R1～R5相同或者不同，是氢、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、巯基、磺基、羟基、羰基、羧基、硝基、烷基、环烷基、芳基或苄基，而且所述重复单元内所含的胺是季铵盐形式或者不是季铵盐形式。2.根据权利要求l所述的蚀刻液，其中，含有具有下述式(IV) 所示重复单元的聚合物作为具有上述式(I)的重复单元的聚合物，…… 一 …(w—N+—CH2—C...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗井雅代，片山大辅，
申请(专利权)人：MEC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]