提升写入电流的存储器制造技术

一种提升写入电流的存储器，包括位线、写入开关以及控制电路。写入开关耦接于一电源与该位线之间、且具一控制端。根据一位线选取信号，控制电路不仅控制写入开关的导通状态，更对写入开关的寄生电容放、充电直至写入开关的控制端达到一预设电位。上述电源将在该写入开关的控制端达到该预设电位后供电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器(memory)以及提升存储器的写入电流(write current)的技 术。
技术介绍
目前有多种存储器皆以电流改变其中存储器单元的物理状态，藉以存储不同数 据。常见的技术包括磁阻式存储器(MRAM)或相位变化存储器(PCM)...等。图1图解传统 磁阻式存储器的部分结构，其中包括一第一电源102、一第二电源104、一位线(以其等效电 阻106代表)、写入开关108与110、以及一地址译码器112。此电路对应一个存储器单元。 流经位线(106)的电流的方向将决定该存储器单元的磁化方向，藉以存储数据'0'或数据'r。 以下叙述图1电路的运作方式。地址信号114经地址译码器112译码后，使能位线 选取信号116，以导通写入开关108与110。电源102与104于位线选取信号116使能后的 一写入区间开始动作，提供一写入电流由上而下流过地址线(106)、或由下而上流过地址线 (106)。上述两种不同方向的写入电流，令本电路所对应的存储器单元得以存储不同的数据。 写入电流的方向由电源102与104在写入区间所提供的电压电平决定。例如，第 一电源102提供高电位、且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提升写入电流的存储器，包括：一位线，具有一第一端与一第二端；一第一写入开关，具有一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该第一写入开关的第一端耦接一第一电源，该第一写入开关的第二端耦接该位线的第一端，且该第一写入开关的第一端与控制端之间存在一第一寄生电容；以及一第一控制电路，接收一位线选取信号且耦接该第一写入开关的控制端，用以于该位线选取信号未使能时放电该第一寄生电容，且于该位线选取信号使能后充电该第一寄生电容并且导通该第一写入开关；其中，上述第一电源于该第一写入开关的控制端达一预设电位后供电。

【技术特征摘要】
一种提升写入电流的存储器，包括一位线，具有一第一端与一第二端；一第一写入开关，具有一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该第一写入开关的第一端耦接一第一电源，该第一写入开关的第二端耦接该位线的第一端，且该第一写入开关的第一端与控制端之间存在一第一寄生电容；以及一第一控制电路，接收一位线选取信号且耦接该第一写入开关的控制端，用以于该位线选取信号未使能时放电该第一寄生电容，且于该位线选取信号使能后充电该第一寄生电容并且导通该第一写入开关；其中，上述第一电源于该第一写入开关的控制端达一预设电位后供电。2. 如权利要求1所述的存储器，其中该第一控制电路包括一第一二极管组件，具有一输入端，接收该位线选取信号、以及一输出端，耦接该第一 写入开关的控制端；一第一开关组件，耦接于该第一写入开关的控制端与一接地线之间，并且具有一控制 端；以及一第一反相器，具有一输入端，接收该位线选取信号、以及一输出端，耦接该第一开关 组件的控制端。3. 如权利要求2所述的存储器，还包括一电容，耦接于该第一写入开关的控制端与一 脉冲电源之间；上述脉冲电源在该第一写入开关的控制端达到该预设电位后提供一脉冲电 压。4. 如权利要求2所述的存储器，其中该第一写入开关的第二端与控制端之间存在一第 二寄生电容。5. 如权利要求4所述的存储器，还包括一第二写入开关，具有一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该第二写入开关的第 一端耦接该位线的第二端，该第二写入开关的第二端耦接一第二电源，该第二写入开关的 第一端与控制端之间存在一第三寄生电容，且该第二写入开关的第二端与控制端之间存在 一第四寄生电容；以及一第二控制电路，包括一第二二极管组件，具有一输入端，接收该位线选取信号、以及一输出端。耦接该第二 写入开关的控制端；一第二开关组件，耦接于该第二写入开关的控制端与该接地线之间，并且具有一控制 端；以及一第二反相器，具有一输入端。接收该位线选取信号、以及一输出端。耦接该第二开关 组件的控制端。6. 如权利要求5所述的存储器，上述第二电源在该第二写入开关的控制端充电至上述 预设电位后供电。7. 如权利要求6所述的存储器，还包括一第一电容耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志升，王敏全，萧智文，苏耿立，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]