发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法技术

本发明专利技术提供一种发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法，该半导体元件包含：一用以产生辐射的活性层、一ｐ型传导层、一透明传导层、与一非ｐ型欧姆接触层。其中，ｐ型传导层形成于活性层上，透明传导层形成于ｐ型传导层上，而非ｐ型欧姆接触层介于ｐ型传导层与透明传导层之间，此非ｐ型欧姆接触层是用以降低发出辐射的半导体元件的操作电压。此外，本发明专利技术所提供的非ｐ型欧姆接触层为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［（１－ｘ－ｙ）］Ｎ四元合金，上述四元合金中所含的铝成分能使得非ｐ型欧姆接触层的能隙大于活性层，以此降低非ｐ型欧姆接触层的吸光效应，从而达到降低操作电压的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发出辐射的半导体元件，特别涉及一种可降低操作电压 的发出辐射的半导体元件。
技术介绍
发光二极管为一利用半导体材料所制作而成的元件，为一种可将电能转 换为光能的微细固态光源。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压 低、发热量低、耗电量小、反应速度快、无汞污染等环保问题以及单性光发 光的特性及优点，且能够配合各种应用设备的轻、薄、以及小型化的需求， 因此，己成为日常生活中普及的电子产品。近年来，许多的焦点集中在以三族氮化物为主的半导体所形成的发光元件，例如氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟 镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)等。在以三族氮化物为主的半导体元件中，通常以p型GaN材料为p型导电 层。p型传导层的材质为p型掺杂的三族氮化物材料，而因p型氮化物半导 体材料的掺杂浓度无法像n型材料那么高，使得p型电极不易与p型半导体 形成良好的欧姆接触，因此往往需要在p型传导层上额外形成金属氧化透明 传导电极层，以面电极的方式降低接触电阻。金属氧化透明传导材料，如铟锡氧化物(ITO)与氧化镍(NiO)等，已 被广泛用于光电元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发出辐射的半导体元件，包含：　用以产生辐射的活性层；　ｐ型传导层，该ｐ型传导层形成于该活性层上；　透明传导层，该透明传导层形成于该ｐ型传导层上；与非ｐ型欧姆接触层，形成于该ｐ型传导层与该透明传导层之间。

【技术特征摘要】
1、一种发出辐射的半导体元件，包含用以产生辐射的活性层；p型传导层，该p型传导层形成于该活性层上；透明传导层，该透明传导层形成于该p型传导层上；与非p型欧姆接触层，形成于该p型传导层与该透明传导层之间。2、 如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该半导体元件 为发光二极管或为激光二极管。3、 如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非p型欧姆 接触层为AlxGayIn(1.x.y)N四元合金，x值与y值的范围为0^x^ 1 ， O^y^l, 且上述该AlxGayIn(1.x_y)N四元合金中的能隙大于活化层的能隙，以此特性降 低该非p型欧姆接触层的吸光效应。4、 如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非p型欧姆 接触层为单一外延成长层，该非p型欧姆接触层的厚度范围值为10A IOOO人。5、 如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非p型欧姆 接触层是用以降低该发出辐射的半导体元件的操作电压。6、 如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该半导体元件 还包含基板与n型传导层，该n型传导层位于该基板与该活性层之间，该基 板为蓝宝石或为碳化硅，该透明传导层为下列族群之一或其组合铟锡氧化 物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化镍、镉锡氧化物、ZnO:Al、 ZnGa204、 Sn02:Sb、 Ga203:Sn、 AgIn02:Sn...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文禹，黄世晟，詹世雄，
申请(专利权)人：先进开发光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]