【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及一种包括竖直有源柱的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、正在进行旨在减小构成半导体装置的元件的尺寸并提高该半导体装置的性能的研究。例如，在dram中，正在进行研究以可靠地并且稳定地形成具有减小的尺寸的元件。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有增加的集成度的半导体装置。
2、示例实施例提供了一种具有改进的性能的半导体装置。
3、示例实施例提供了一种用于形成具有增加的集成度和改善的性能的半导体装置的方法。
4、根据示例实施例，一种半导体装置可包括：衬底，其包括下有源区、从下有源区向上突出的第一上有源区和第二上有源区、从第一上有源区向上突出的第一竖直有源柱、以及从第二上有源区向上突出的第二竖直有源柱；位线结构，其位于第一上有源区与第二上有源区之间；第一栅电极，其围绕第一竖直有源柱的沟道区的侧表面；第二栅电极，其围绕第二竖直有源柱的沟道区的侧表面，第二栅电极与第一栅电极间隔开；第一栅极电介质层，其位于第一竖直有源柱与第一...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层接触所述下有源区、所述第一下部和所述第二下部。
4.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一下部的宽度大于所述第一上部的宽度。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层的上表面的水平高于所述第一下部的水平和所述第二下部的水平。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层的上表面的水平低于所述第一上部的水...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层接触所述下有源区、所述第一下部和所述第二下部。
4.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一下部的宽度大于所述第一上部的宽度。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层的上表面的水平高于所述第一下部的水平和所述第二下部的水平。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述位线接触层的上表面的水平低于所述第一上部的水平和所述第二上部的水平。
8.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
9.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
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