半导体结构的形成方法技术

技术编号:42491748 阅读:20 留言:0更新日期:2024-08-21 13:08
一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底上形成有图形材料层,图形材料层上形成有第一核心材料层,包括沿第一方向交替排列的第一区和第二区;对部分或全部第一区的第一核心材料层进行离子注入处理,形成第二核心材料层,使第二核心材料层的耐刻蚀度大于第一核心材料层的耐刻蚀度;形成分立且沿第一方向平行排列的第一核心层;在第一核心层的侧壁形成第一侧墙;以第一侧墙为掩膜图形化第一核心材料层和第二核心材料层,形成第二核心层和第三核心层;在第二核心层和第三核心层的侧壁形成第二侧墙;以第二侧墙和第三核心层为掩膜图形化图形材料层,在第一区形成第一目标图形,在第二区形成第二目标图形。本发明专利技术提高半导体结构的设计自由度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法


技术介绍

1、光刻(photolithography)技术是常用的一种图形化方法,是半导体制造工艺中最为关键的生产技术。随着图形特征尺寸(critical dimension,cd)的不断缩小,自对准双重图形化(self-aligned double patterning,sadp)已无法满足现在的工艺需求,自对准四重图形化(self-aligned quadruple patterning,saqp)方法应运而生。

2、然而,传统的自对准四重图形化方法有一些局限性,在同一区域中,形成的目标图形的线宽尺寸必须统一,形成的目标图形中相邻两个目标图形的节距(pitch)也必须统一,因此,难以灵活控制目标图形的节距,这对于各类型器件的生产也存在很大的局限性。


技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法,提高了半导体结构的设计自由度。

2、为解决上述问题,本专利技术实施例提供一种半导体结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述图形材料层为介质层,所述第一目标图形为用于形成第一金属线的第一沟槽,所述第二目标图形为用于形成第二金属线的第二沟槽;

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述半导体结构为SRAM器件;

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,沿所述第一方向,多个所述第一区排列为交替排布的第一子区和第二子区,形成所述第一核心层的步骤中,每个所述第一子区形成有一个第一核心层,每个所述第二子区形成有两个第一核心层,其中,第一子区的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述图形材料层为介质层,所述第一目标图形为用于形成第一金属线的第一沟槽,所述第二目标图形为用于形成第二金属线的第二沟槽;

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述半导体结构为sram器件;

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,沿所述第一方向,多个所述第一区排列为交替排布的第一子区和第二子区,形成所述第一核心层的步骤中,每个所述第一子区形成有一个第一核心层,每个所述第二子区形成有两个第一核心层,其中,第一子区的第一核心层沿所述第一方向的中线与所述第一区沿所述第一方向的中线重合,第二子区的两个第一核心层相背的两侧壁分别位于第一区的边界;

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,对部分或全部所述第一区的第一核心材料层进行离子注入处理的步骤中,进行所述离子注入处理的区域至少覆盖所述第一区中相邻所述第一侧墙的相背侧壁之间的区域。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,对部分或全部所述第一区的第一核心材料层进行离子注入处理的步骤中,所述第一核心材料层与第二核心材料层的刻蚀选择比大于或等于120:1。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一核心材料层的材料包括无定形硅、多晶硅、单晶硅、氧化硅、先进图膜材料、旋涂碳和碳化硅中的一种或多种;...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴轶超金吉松
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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