复合电极及其制备方法、应用技术

本申请涉及一种复合电极及其制备方法、应用。上述复合电极包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、自组装分子层和金属层。其中，自组装分子层包括大分子多胺和大分子多酸中的一种或几种，自组装分子层通过氨基和/或羧基锚定在第一透明导电氧化物层表面，且通过氨基和/或羧基与金属层中的金属结合。上述复合电极能够兼具较高的透过率和导电性，应用在光电器件中，有利于提高其光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电领域，特别是涉及一种复合电极及其制备方法、应用。

技术介绍

1、目前，透明导电氧化物如ito（氧化铟锡）是制备透明电极应用最广泛的材料之一。虽然，透明导电氧化物薄膜具有高透过率(约90%)和低方阻(约10ω/sq)等优点，但由于其机械强度低、成本高，极大地限制了其应用。基于此，研究人员开发了一种具有良好的化学稳定性、均一方阻、低成本的氧化物/金属/氧化物(o/m/o)三明治结构的复合透明电极。然而该复合电极难以兼顾高透过率和高导电性，从而难以满足叠层器件和半透明器件的要求。

技术实现思路

1、基于此，本申请一些实施例提供一种复合电极，能够兼具较高的透过率和导电性，应用在光电器件中有利于提高其光电转换效率。

2、此外，本申请另一些实施例还提供一种复合电极的制备方法、应用。

3、一种复合电极，包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、自组装分子层和金属层；

4、其中，所述自组装分子层的材料包括大分子多胺和大分子多酸中的一种或几种，所述自组装分子层通过氨基和/或羧基锚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合电极，其特征在于，包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、自组装分子层和金属层；

2.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述大分子多胺和所述大分子多酸的分子量均在500以上；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的复合电极，其特征在于，所述自组装分子层的厚度小于或等于5nm。

4.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述金属层的材料选自Au、Ag、Al、Ge、Ni、Ti、Cu、Mo及Bi中的一种或几种；和/或，

5.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述复合电极还包括设置在所述金属层远离所述第一透明导电氧化物...

【技术特征摘要】

1.一种复合电极，其特征在于，包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、自组装分子层和金属层；

2.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述大分子多胺和所述大分子多酸的分子量均在500以上；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的复合电极，其特征在于，所述自组装分子层的厚度小于或等于5nm。

4.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述金属层的材料选自au、ag、al、ge、ni、ti、cu、mo及bi中的一种或几种；和/或，

5.根据权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述复合电极还包括设置在所述金属层远离所述第一透明导电氧化物层一侧的第二透明导电氧化物层；

6.一种复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的复合电极的制备方法，其特征在于，在第一透明导电氧化物层表面形成自组装分子层的步骤包括：

8.根据权利要求6或7所述的复合电极的制备方法，其特征在于，还包括：在所述金属层远离所述第一透明导电氧化物层的一侧表面形成第二透明导电氧化物层。

9.权利要求1~5任一项所述的复合电极或通过权利要求6~8任一项所述的制备方法制备的复合电极在制备半导体器件中的应用。

10.一种光电器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的功能层；

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【专利技术属性】
技术研发人员：曾海鹏，樊慧柯，应昕彤，杨玉雯，李兆宁，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：