【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及三维(3d)存储器件及其制作方法。
技术介绍
1、nand存储器是一种不需要电力来保持所存储的数据的非易失型存储器。对消费电子品、云计算和大数据的不断增长的需求带来了对具有更大容量和更高性能的nand存储器的持续需求。常规的二维(2d)nand存储器接近了其物理极限，现在三维(3d)nand存储器正在发挥重要作用。3d nand存储器使用在单个管芯上的多个堆叠层来实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗以及更好的成本效率。
2、3d nand结构构建在存储器管芯的衬底上。3d nand结构包括多个存储平面，每一存储平面包括多个存储块，并且每一存储块包括很大数量的nand存储单元。存储平面是存储器管芯的有效区域。希望增大存储器管芯的有效区域，或者提高用于存储平面的管芯区域的百分比。
3、所公开的器件和方法涉及解决上文阐述的一个或多个问题以及其他问题。
技术实现思路
1、在本公开的一个方面当中，一种3d nand存储器件包括衬底、核心...
【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
6.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中：
8.根据权利要求7所述的三维存储器件，其中：
9.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括多个第二伪沟道孔结构，所述第二伪沟道孔结构位于所述第一核心区且延伸穿过所...
【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中：
6.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中：
8.根据权利要求7所述的三维存储器件，其中：
9.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括多个第二伪沟道孔结构，所述第二伪沟道孔结构位于所述第一核心区且延伸穿过所述层堆叠体，并且所述顶部选择栅切口穿过多个所述第二伪沟道孔结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张中，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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