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一种半导体装置可包括衬底、位线结构、彼此隔开的第一栅电极和第二栅电极、以及第一栅极电介质层和第二栅极电介质层。衬底可包括彼此间隔开并从下有源区向上突出的第一上有源区和第二上有源区、从第一上有源区向上突出的第一竖直有源柱、以及从第二上有源区向...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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