半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，可以包括：下衬底；在下衬底上的有源区；公共源极板，其在竖直方向上与下衬底的上表面间隔开，并且公共源极板与下衬底的上表面重叠；放电结构，其在竖直方向上直接连接公共源极板和有源区，并且放电结构具有在平行于下衬底的上表面的第一方向上延伸的壁形状；以及在公共源极板上的单元阵列结构。放电结构在第一方向上的长度可以大于放电结构在平行于下衬底的上表面且垂直于第一方向的第二方向上的宽度。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施例涉及半导体装置。例如，各种示例实施例涉及竖直存储器装置。

技术介绍

1、随着信息通信装置变得多功能化，包括在半导体装置中的存储器单元可以具有大容量并且可以高度集成。可替换地或附加地，存储器单元中的每一个的尺寸可逐渐减小，并且包括在半导体装置中的用于半导体装置的操作和/或电连接的操作电路和/或布线结构可更复杂。因此，用于制造半导体装置的工艺可能是复杂的，并且/或者在用于制造半导体装置的工艺期间可能出现电缺陷。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供了一种具有改善的或优异的电特性和/或高可靠性的半导体装置。

2、根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，包括：下衬底；

3、有源区，其位于下衬底上；公共源极板，其在竖直方向上与下衬底的上表面间隔开，并且公共源极板与下衬底的上表面至少部分地重叠；

4、放电结构，其在竖直方向上直接连接公共源极板和有源区，放电结构具有多个放电接触插塞和多个放电导电图案交替堆叠的结构；以及，单元阵列结构，其位于公共源极板上。放电接触插塞平行于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下衬底包括P型杂质，并且所述有源区包括N型杂质，使得所述下衬底和所述有源区对应于齐纳二极管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个放电接触插塞和所述多个放电导电图案独立地包括金属和多晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个放电接触插塞中的每一个在其延伸方向上的长度大于接触所述多个放电接触插塞的所述多个放电导电图案中的每一个的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下衬底包括p型杂质，并且所述有源区包括n型杂质，使得所述下衬底和所述有源区对应于齐纳二极管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个放电接触插塞和所述多个放电导电图案独立地包括金属和多晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个放电接触插塞中的每一个在其延伸方向上的长度大于接触所述多个放电接触插塞的所述多个放电导电图案中的每一个的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述单元阵列结构包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：洪明训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：