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一种半导体装置，可以包括：下衬底；在下衬底上的有源区；公共源极板，其在竖直方向上与下衬底的上表面间隔开，并且公共源极板与下衬底的上表面重叠；放电结构，其在竖直方向上直接连接公共源极板和有源区，并且放电结构具有在平行于下衬底的上表面的第一方向...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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