一种ＥＳＤ用均匀触发半导体硅控整流控制器制造技术

一种静电放电防护电路中用的均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：Ｐ型半导体衬底，在Ｐ型半导体衬底上面分别设置有相邻的Ｎ型阱和Ｐ型阱，在Ｎ型阱中设有低浓度Ｎ型半导体区和Ｐ型半导体区，在低浓度Ｎ型半导体区、Ｐ型半导体区、Ｎ型半导体区和Ｐ型半导体区以外的区域设有场氧化层，在Ｎ型半导体区和Ｐ型掺杂半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在Ｎ型掺杂半导体区和Ｐ型半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在Ｐ型阱和Ｎ型阱交界处的场氧化层的下表面处设有高浓度Ｐ型场注入层，在Ｎ型阱中设有低浓度Ｎ型半导体区。其能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路
，涉及一种静电放电防护器件，更具体的说，是关于一种适用于静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护电路中的均匀触发半导体硅控整流控制器。
技术介绍
随着半导体集成电路集成度的提高，器件尺寸的相应减小，从而导致半导体集成电路一般很容易受静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)事件的影响，该静电放电可能损坏或者烧毁集成电路，使得集成电路无法正常工作。因此设计出有效的静电放电保护电路和静电放电保护器件以保护集成电路里的组件及电路免于静电放电损害是相当重要的。 目前，在各种半导体集成电路中，横向硅控整流器(lateral siliconcontrolrectifier, LSCR)已被广泛用作ESD保护器件，有效地保护了集成电路免受ESD事件的损害。横向硅控整流器之所以被广泛用作ESD保护器件，其中一个重要的原因就是它具有较低的维持电压，使得ESD泄放电流在横向硅控整流器上所产生的功耗小于其它的ESD保护器件如二极管、金属氧化物场效晶体管(M0S)和双极型晶体管(BJT)，图1为一传统的横向硅控整流器结构的剖面图，101为P型衬底，102为N型阱，103为P型阱，104为N型阱接触半导体区，105为P型阳极接触区，107为P型阱接触半导体区，106为N型阴极接触区，108为阳极金属电极，109为阴极金属电极。同时，为了获得较高的二次击穿电流，进一步提高ESD保护性能，通常采用多个横向硅控整流器相互并联的形式(参考文献)。但是，由于工艺控制精确度的限制，使得在ESD事件发生时，所有的横向硅控整流器很难同时触发导通，只有某个或某几个横向硅控整流器触发导通进行泄流，严重地影响了抗ESD性能，这就是我们所说的不均匀触发现象。 在相关技术中，有人提出增大N型阱接触半导体区104和P型阳极接触区108之间的距离，从而增大了它们之间的导通电阻，使得N型阱102和P型阱103构成的PN结发生雪崩击穿时，器件的阳极金属电极108和阴极金属电极109之间的电压大于雪崩电压，从而增大了与该器件相并联的其它同类型结构器件的触发几率，从而增大均匀触发的概率，但是这种做法在高压集成电路中的效果并不明显。 还有人提出在阳极金属电极108上外接一个电阻，从而实现与上述相同的功能，但是这增大了工艺成本。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供了一种在不增加工艺难度和成本的前提下，能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。 本专利技术采用如下技术方案 —种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面分别设置有相邻的N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有低 浓度N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在低浓度N型掺杂半导体区中设有N型半导体 区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型半导体区，在低浓度N型掺杂半导体区、 P型掺杂半导体区、N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区以外的区域设有场氧化层，在低 浓度N型掺杂半导体区、P型掺杂半导体区、N型掺杂半导体区、P型掺杂半导体区和场氧化 层的表面设有二氧化硅介质层，在N型半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属层，构成了 横向半导体硅控整流控制器的阳极；在N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属 层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在P型掺杂阱和N型掺杂阱交界处的场氧 化层的下表面处设有高浓度P型场注入层。 与现有技术相比，本专利技术具有如下优点 (1)本专利技术中的N型掺杂阱2中设有低浓度N型掺杂半导体区5，这个低浓度N型掺杂半导体区5使得N型半导体区4周围的半导体区域的电阻增大，当N型掺杂阱2和P型掺杂阱3构成的PN结发生雪崩击穿，并且横向硅控整流器未触发开启时，器件的阳极和阴极之间的电压值大于雪崩击穿电压值，使得与该器件相并联的其它器件也能发生雪崩击穿，从而增大了与该器件相并联的其它器件触发开启的概率，最终实现均匀触发。 (2)本专利技术中的低浓度N型掺杂半导体区5和P型掺杂阱区3可以在同一工艺步骤中实现，使得低浓度N型掺杂半导体区5的制程并没有提高工艺的成本。 (3)本专利技术中的高浓度P型场注入层9可以降低N型掺杂阱2和P型掺杂阱3构成的PN结的击穿电压，从而降低了横向硅控整流器的雪崩击穿电压。附图说明 图1是传统的横向硅控整流控制器结构的剖面图。 图2是本专利技术的半导体硅控整流控制器的剖面图。 图3是实现本专利技术低浓度N型掺杂半导体区5和P型掺杂阱区3的一版图结构， 其中301为制作P型掺杂阱区3的版图形状，302为制作低浓度N型掺杂半导体区5的版图 形状。 图4是实现本专利技术低浓度N型掺杂半导体区5和P型掺杂阱区3的又一版图结 构，其中401为制作P型掺杂阱区3的版图形状，402为制作低浓度N型掺杂半导体区5的 版图形状。具体实施例方式参照图2，一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括P型掺杂半导体衬底 1 ，在P型掺杂半导体衬底1上面分别设置有相邻的N型掺杂阱2和P型掺杂阱3，在N型掺 杂阱2中设有低浓度N型掺杂半导体区5和P型掺杂半导体区6，在低浓度N型掺杂半导体 区5中设有N型半导体区4，在P型掺杂阱3中设有N型掺杂半导体区7和P型半导体区 8，在低浓度N型掺杂半导体区5、P型掺杂半导体区6、N型掺杂半导体区7和P型掺杂半导 体区8以外的区域设有场氧化层10，在低浓度N型掺杂半导体区5、P型掺杂半导体区6、N 型掺杂半导体区7、P型掺杂半导体区8和场氧化层10的表面设有二氧化硅介质层11，在N 型半导体区4和P型掺杂半导体区6上连有金属层12，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极金属电极；在N型掺杂半导体区7和P型掺杂半导体区8上连有金属层13，构成了 横向半导体硅控整流控制器的阴极金属电极。在P型掺杂阱2和N型掺杂阱3交界处的场 氧化层10的下表面处设有高浓度P型场注入层9。 在本实施例中 所述的P型场注入层9不与P型掺杂半导体区6与N型掺杂半导体区7相连，且位于它们之间，它的大小由场注入窗口的大小决定。 所述的P型场注入层9的浓度高于P型掺杂阱区3的浓度。 所述的低浓度N型半导体区5的浓度低于N型半导体阱区2和N型半导体区4。 本专利技术采用如下方法来制备 1、选择一块P型硅片作为P型掺杂半导体衬底1，然后采用常规横向硅控整流控制 器的制作方法，经过光刻工艺和N型离子注入工艺，退火后形成N型掺杂阱2，然后采用特制 的掩膜版，再经过光刻工艺和P型离子注入工艺，退火后形成P型掺杂阱3和低浓度N型掺 杂半导体区5。 2、经过淀积氮化硅、光刻工艺和热处理过程实现场氧的制备，生成场氧化层10。接 着进行的就是高浓度离子注入，形成N型半导体区4、 P型掺杂半导体区6、 N型掺杂半导体 区7和P型掺杂半导体区8，最后是打出引线孔，经过淀积铝和刻蚀铝工艺，形成金属层12 和金属层13，其中金属层12作为阳极金属电极，金属层13作为阴极金属电极，最后进行后 续钝化处理。权利要求一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括P型掺杂半导体衬底(1)，在所述P型掺杂半导体衬底(1)上面分别设置有相邻的N型掺杂阱(2)和P型掺杂阱(3)，在所述N型掺杂阱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＳＤ用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：Ｐ型掺杂半导体衬底（１），在所述Ｐ型掺杂半导体衬底（１）上面分别设置有相邻的Ｎ型掺杂阱（２）和Ｐ型掺杂阱（３），在所述Ｎ型掺杂阱（２）中设有低浓度Ｎ型掺杂半导体区（５）和Ｐ型掺杂半导体区（６），在所述低浓度Ｎ型掺杂半导体区（５）中设有Ｎ型掺杂半导体区（４），在所述Ｐ型掺杂阱（３）中设有Ｎ型掺杂半导体区（７）和Ｐ型掺杂半导体区（８），在所述低浓度Ｎ型掺杂半导体区（５）、Ｐ型掺杂半导体区（６）、Ｎ型掺杂半导体区（７）和Ｐ型掺杂半导体区（８）以外的区域设有场氧化层（１０），在所述低浓度Ｎ型掺杂半导体区（５）、Ｐ型掺杂半导体区（６）、Ｎ型掺杂半导体区（７）、Ｐ型掺杂半导体区（８）和场氧化层（１０）的表面设有二氧化硅介质层（１１），在所述Ｎ型掺杂半导体区（４）和Ｐ型掺杂半导体区（６）上连有金属层（１２），构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在所述Ｎ型掺杂半导体区（７）和Ｐ型掺杂半导体区（８）上连有金属层（１３），构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极；在所述Ｐ型掺杂阱（２）和Ｎ型掺杂阱（３）交界处的场氧化层（１０）的下表面处设有高浓度Ｐ型场注入层（９），其特征在于，所述低浓度Ｎ型掺杂半导体区（５）完全包围Ｎ型掺杂半导体区（４）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王钦，李海松，刘侠，杨东林，易扬波，陈文高，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]