【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种多晶硅的制备方法。
技术介绍
1、采用激光诱导结晶的方法(比如微直拉法)可以获得形状规则的大尺寸多晶硅颗粒。针对基于激光结晶的微直拉法结构，一种实现方法是在介质材料上设计微孔阵列，微孔的间距即为结晶化后多晶硅的晶粒的尺寸。这种方法源自于激光熔融结晶过程中的超级横向生长过程。微孔可以作为晶粒过滤器结构，可以控制微直拉过程中籽晶的数量，降低晶粒内的缺陷。
2、但是，这种方法获得的多晶硅内部存在较多的晶界，特别是在晶粒交界的地方。在晶粒交界的区域，多晶硅内部会因为晶粒相互碰撞而出现很多凸起。并且，微直拉法对于晶粒过滤器的尺寸要求较高，微孔的尺寸和晶粒的尺寸必须相近才能起到过滤作用。因此，如何消除多晶硅内部的晶界是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述的分析，本专利技术实施例旨在提供一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法，用以解决现有的多晶硅内部存在较多的晶界的问题。
2、一方面，本专利技术实施例提供了一种多晶硅的制备方法，
【技术保护点】
1.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、隔热层、第二介质层包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、隔热层、第二介质层包括：
4.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、第三介质层、隔热层、第二介质层包括：
6.根据权利要求2或3或5所述的制备方法，其特征在于，沉积所述第二介质薄膜所...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、隔热层、第二介质层包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、隔热层、第二介质层包括：
4.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、第三介质层、隔热层、第二介质层包括：
6.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金彪，罗军，李俊峰，杨涛，贺晓彬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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